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カーブトレーサ自動測定システム

カーブトレーサ自動測定システム

従来、2台のカーブトレーサを使い分けて測定する必要のあった製品を一括で自動測定

カーブトレーサ自動測定システム

 

カーブトレーサ自動測定システム カーブトレーサ自動測定システム
カーブトレーサ自動測定システム カーブトレーサ自動測定システム

 

高耐圧リレーと大電流リレーで数nAのリーク電流測定から300Aクラスの大電流測定まで対応

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~計装アンプって便利ですよ(電流検出)~
~計装アンプって便利ですよ(微小信号検出)~
~計装アンプって便利ですよ(GND以外の基準で出力できる)~
~計装アンプを使う上での注意点~
~リーク電流ってどうやって測定してますか?~
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導体抵抗測定システム

導体抵抗自動モニタリングシステム(1)

【導通信頼性評価を目的とした多CHの抵抗計測システム】

導通信頼性評価を目的とした多CHの抵抗計測システムです。
DMMによる抵抗測定と、LCRメータを使用したAC測定(オプション)に対応し、スイッチシステムと組み合わせることで288CHの多CH化を実現しています。熱電対情報からサイクルカウントする機能を有しており試験槽の種類に依存せず利用することができます。その特徴から、温度サイクルは気槽/液槽の両用途で、ご利用いただいております。

ハード仕様

<ハード仕様>
内容 特徴
CH 288 CH
セミカスタム耐熱
ケーブル
8 ( 2 CH)の耐熱ケーブルで
試験槽のケーブル孔に通しやすい
UPS 有り
PC OSWindows10
温度測定 標準4CHの熱電対入力
 (熱電対CH数分の試験槽に対応)
AC測定
(オプション)
LCRメータ
(DC抵抗,容量,インピーダンス)
DC測定 7.5桁マルチメータ(DC抵抗)
スイッチシステム 汎用スイッチシステム
測定方式 4線式

<ソフト仕様>
主にデータ集録用のソフトとビューアで構成。補助ツールとしてデータ連結ツールとExcelグラフ作成ツールが付属。データ集録用のソフト以外はスタンドアローンアプリとして任意のPCにインストールして使用可能。

<データ集録ソフト>
l複数の試験を並行して実施可能
l試験ごとに任意のタイミングで開始/一時停止/終了可能
l試験を開始する際に、任意の未使用CHを割り当て可能
lAC測定とDC測定を混在して試験可能
l温度サイクル試験のサイクル数を、温度変化を基にカウント(試験槽の機種に依存しない)
l温度サイクルモードと経過時間モードの切替が可能(高温保存試験などにも対応可能)

メイン画面
図1 メイン画面
設定画面
図2 設定画面

<ビューア>
l測定ポイント数が数万ポイントを超えるような場合でも、高速に動作
l測定データをCSVファイルにエクスポート可能
lX軸を経過時間、絶対時間、サイクル数の切替表示が可能
l対数表示が可能
l 操作性に配慮したUI設計でデータ分析をアシスト(拡大/縮小/スクロール/系列の表示・非表示など)

ビューア
図3 ビューア画面

Excelグラフ作成ツール>
lCSVファイルを元にExcelグラフ(散布図)の作成をアシストする自動化ツール
lCSVファイルは本システム以外で作成したファイルも使用可能
l複数個のグラフを一括出力することが可能
l グラフのサイズ、系列の色、線種などの書式を簡単に設定が可能

Excelグラフ作成ツール
図4 グラフ作成ツール

<データ連結ツール>
lデータ集録ソフトで測定した2つのファイルを連結可能
 (過去のデータと継続試験のデータの連結が可能)
lCH構成が異なる場合でも、対応するCHを選択することで連結可能

導体抵抗自動モニタリングシステム(2

導体抵抗自動モニタリングシステム(1) 導体抵抗自動モニタリングシステム(1)
導体抵抗自動モニタリングシステム(1) 導体抵抗自動モニタリングシステム(1)
導体抵抗自動モニタリングシステム(1) BGA基板

応力シミュレーション

応力シミュレーション

 
BGA基板
BGA基板
ヒートサイクル試験後の縦断面図
⇒半田接合部に発生したクラック

図5 導体抵抗自動モニタリングシステム 2 例目

 

■温度サイクル試験槽と連動し、導通抵抗を多チャンネルでリアルタイムにモニタリング。

※本事例はナショナルインスツルメンツ(NI)社のユーザー事例に掲載されております。
http://sine.ni.com/cs/app/doc /p/id/cs-13025をご参照ください。

 

導体抵抗自動モニタリングシステム(3

導体抵抗自動モニタリングシステム(2)

 

導体抵抗自動モニタリングシステム(2)

図6 導体抵抗自動モニタリングシステム 3 例目

 

[特徴]

  • 2台の試験槽に対し、それぞれ独立した関係で試験を実施したいニーズに最適。⇒PC1台に対し、96チャンネル単位でハードユニットを準備
    各ハードユニットは、それぞれ事前に指定した試験槽とのみ認識できる構成とし、
    ユニット毎に集録アプリを準備

 

導体抵抗自動モニタリングシステム(4)

ハンダ接合部の導通抵抗を環境試験中にリアルタイムにモニタリングするためのシステム

ハンダ接合部の導通抵抗を環境試験中にリアルタイムにモニタリングするためのシステム

 

l標準96ch構成

l4線式測定

l専用ハードとソフトで構成

l試験槽のメーカーや通信機能に依存せず適用可能

ハンダ接合部の導通抵抗を環境試験中にリアルタイムにモニタリングするためのシステム

図7 導体抵抗自動モニタリングシステム 4 例目

 

WTIシステムの特徴

WTIオリジナル その1】

  冷熱衝撃試験(温度サイクル)のサイクル数を熱電対温度から換算している

  →独自のアルゴリズムを適用

従来は温度サイクル槽と通信してサイクル数取得

従来

WTIシステム

通信機能のない試験槽では対応できない

通信機能の有無を気にせず採用できる

通信機能はメーカーにより異なるため、

メーカー依存がある。

試験槽メーカーを気にせず採用できる

液槽冷熱衝撃試験等のニーズには対応できない

熱電対さえ挿入できれば、液槽の試験槽でも対応

できる

複数の試験槽を同時に扱えない

複数の試験槽を同時に扱うことができる

WTIオリジナル その2】

  集録ソフトの中にある解析機能のみを抽出したViewerソフトがある

従来は装置付随のソフトでしかデータ分析できなかった

従来

WTIシステム

毎回現場までいかないとデータが確認できず面倒

個人PCで独立してデータ分析が行えるようになる

WTIオリジナル その3】

  利便性を考慮したケーブルのカスタマイズ

試験槽のケーブル孔が狭い場合、チャンネル数に制限がかかっていた

従来

WTIシステム

システムのチャンネル数を有効に使えない

少ないチャンネル単位でケーブルを構成しており、市場にある大半の試験槽であれば心配なく適用できる

WTIオリジナル その4】
  お客様のご要望を反映したユーザーインターフェイスと機能(代表例)

お客様のご要望を反映したユーザーインターフェイスと機能(代表例)
図8 導体抵抗自動モニタリングシステム ユーザーインターフェース例

l複数の試験設定をすることが出来ます。

l試験設定ごとに開始、終了、中断に対応しており、柔軟な試験運用が可能です。

試験設定のインポートに対応
図9 試験設定画面(試験設定のインポート)

l試験設定のインポートに対応

操作性に配慮したビューアを搭載
図10 試験結果ビューア画面

l操作性に配慮したビューアを搭載

 

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カスタム計測システム・受託評価

Wave Technology(WTI)では、お客様の研究開発環境で求められる機能を、オーダーメイドの「カスタム計測システム(計測システム開発受託サービス)」と受託評価サービス(評価業務の請負サービス)という形でご提供しております。

カスタム計測システム設計開発会社である当社は、半導体及びその応用製品に関する高い技術を保有しており、お客様のお困りごとに対し、設計者目線で解決策を提案していくことが特徴です。

ご要望に合わせ、下記二つのサービスをご用意しております。

  • カスタム計測システム(計測システム開発受託サービス)
  • 受託評価サービス(評価業務の請負サービス)

近年は、車載用の電子部品でAEC準拠の試験・評価需要も増えつつあり、お客様のご要望に添えるようサービス内容の拡充を進めているところです。

 

カスタム計測システム(計測システム開発受託サービス)

カスタム計測システム(計測システム開発受託サービス)

計測評価の自動化、各種モニタリングシステム、制御システム、データや波形解析の自動化解析ツール等、お客様のお困りごとに対し、長年培ったハード/ソフトの技術を活用して、課題解決していくことが特徴です。

  • 完成品としてのシステム提供
  • レンタル・リースによるシステム提供
  • お客様との契約に基づく受託開発

等、お客様のニーズに合わせ、課題解決のためのサービスを提供しております。

 

受託評価サービス(評価業務の請負サービス)

受託評価サービス(評価業務の請負サービス)半導体をはじめとする各種電子部品や製品の電気特性や温度特性等の特性評価を請け負うサービスです。

  • 評価環境の設計開発を伴う受託評価
    ・自動評価環境の構築
    ・評価用基板の回路/基板設計・製作
    ・計測評価用ソフトウェアの開発
      ※NI社のLabVIEWTMを活用
     (PCベースの開発からリアルタイム性を必要とする組み込みベースの開発まで)
  • 環境試験槽と連動した評価及び信頼性試験
    ・温度特性評価
    ・信頼性評価
  • パワーデバイスを含む車載電子部品の信頼性関連評価(AEC準拠の試験への対応)
  • リバースエンジニアリングと連動した評価のご提案

※LabVIEWは、NI社の登録商標です。

お困りごとがございましたら、ぜひ一度、当社のサービスをご利用ください。

お客様からのご要望が急増している評価サービス

 

WTI TOPページ

カスタム計測システム 受託評価サービス

 

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リバースエンジニアリング Plus

リバースエンジニアリング

一般的にリバースエンジニアリング(テアダウン)とは、既存の製品を解体・分解して、製品の仕組みや構成部品 、技術要素などを分析する手法のことを言います。この手法により、その製品に使用されている技術を分析、調査、確認することを可能とし、新製品の開発などに役立てることができるものです。

この分野でWTI にご要望いただいているお客様は、⾃動⾞・医療・⻭科・ヘルスケア・産業機器・⺠⽣機器と多岐にわたっております。(リバースエンジニアリングplusの事例はこちら

WTIのリバースエンジニアリング Plus(テアダウン)受託サービスの特長は2つあります。

  1. 「解析技術」と「回路技術」の双方を保有している会社ですので、分解して解析するところで終わることなく、設計/開発会社としての知見を生かした受託サービスをご提供できます。
    このことにより、世の中にある製品や開発品、試作品を解析して機能を推定し、お客様のご要望をくみ取った形で、新規設計や原理検証等、製品設計に近い領域のご提案まで行える国内でも珍しい設計/開発会社です。
  2. 会社設立以来、日本を代表する多くの大手企業様から、様々な技術分野の設計/開発を受託してきた経験から、高度な技術を豊富に保有しています。他社では難しいとされる製品にも対応させていただいております。

これらの特長から、WTIは以下のようなお客様のご要望に広くお応えしてきております。

  1. 市場で既に流通している製品から、新製品開発のためのアイデアを得たい。
  2. 市販品の技術トレンドを調べ、性能改善やコストダウンした製品を開発したい。
  3. 競合他社が、自分たちの技術を真似していないか、特許侵害していないかを知りたい。
  4. 自社の製品に改良を加えなければならないが、設計情報が残ってない。なんとか回路図を復元したい。
  5. 搭載部品が廃番(ディスコン/生産中止)になり、改良設計をしなければならなくなった。自社に回路図が残っていないため、リバースエンジニアリングで回路図を再現し、そこから元のプリント基板までも再現して欲しい。

上記以外にも、WTIは設計開発会社であることを生かして、お客様の様々なご事情に応じた幅広いリバースエンジニアリング(テアダウン)受託サービスをご提供いたします。また、部分的な工程を請け負うことももちろん可能です。

リバースエンジニアリングplusの事例はこちら

システム製品の回路解析から搭載モジュールの解析までの一貫業務を担当いたします。

 

Wave Technology(WTI)では次のような受託サービスをご提供いたします。

  • 回路基板の精密研磨による全配線層の撮影、回路トレース、回路図作成、ブロック図作成
  • 実装部品の取り外し、電気測定、データシートの調査、部品表(BOMリスト)の作成
  • 非破壊/破壊解析による構造調査
  • 実装モジュールの分解調査
  • 新規設計、原理検証のご提案
  • その他ご要望に応じて解析内容をご提案させて頂きます。

キーワード
ディスコン・EOL・代替検討・生産中止、リバースエンジニアリング、リバース解析
テアダウン他社品解析、先行技術調査、回路解析等の受託サービス

サンプル資料
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リバースエンジニアリング(テアダウン)受託サービス サンプル資料

外観
搭載部品ナンバリング
搭載部品取り外し
研磨後の各レイヤー
搭載部品リストの一部
回路図
その他解析イメージ

 

<外観>

外観 TOP 外観 BOTTOM
TOP BOTTOM

<搭載部品ナンバリング>

搭載部品ナンバリング TOP 搭載部品ナンバリング BOTTOM
TOP BOTTOM
 

<搭載部品取り外し>

搭載部品取り外し TOP 搭載部品取り外し BOTTOM
TOP BOTTOM
 

<研磨後の各レイヤー>

研磨後の各レイヤー 第1層 研磨後の各レイヤー 第2層
第1層 第2層
   
研磨後の各レイヤー 第3層 研磨後の各レイヤー 第4層
第3層 第4層
   
研磨後の各レイヤー 第5層 研磨後の各レイヤー 第6層
第5層 第6層
   
 

 

<搭載部品リストの一部>

種類 詳細 小計 合計
抵抗 チップ抵抗 353 379
金属皮膜 26
コンデンサ アルミ電解コンデンサ 9 193
タンタルコンデンサ 4
チップセラミックコンデンサ 180
コイル コアコイル 1 8
チップ型コイル 8
ホトリレー   16 16
水晶振動子   1 1
ダイオード PNダイオード 32 78
ツェナーダイオード 42
Rectifier 4
トランジスタ バイポーラ 22 26
MOS 3
IGBT 1
IC マイコン 1 27
その他 26
コネクタ 外部接続用コネクタ 4 4

部品総数 732

IC
番号 IC マーキング 型番等 機能
101 5030-EJA
2CE
G1409
Infineon
BTS5030-1EJA
Smart High-Side Power Switch
102 LTBVW
4C50
e3
LINEAR
TECHNOLOGY
LT3481
36V、2A、2.8MHZ Step-Down
Switching Regulator with
50μA Quiescent Current
103 TJA1042
G7 04
D423
NXP
TJA1042
High-speed CAN transceiver
with Standby mode
104 TJA1042
G7 04
D423
NXP
TJA1042P
High-speed CAN transceiver
with Standby mode
105 F JAPAN
B91F592BS
419 Z73
SS E1
SPANSION
MB91590 シリーズ
F592BS
32ビット・マイクロコントローラ
FRファミリ FR81S

 

抵抗
番号 R 種類 サイズ マーキング 測定値[Ω]
51 チップ抵抗 1608 101 100
52 チップ抵抗 3216 473 47k
53 チップ抵抗 1005 1k
54 チップ抵抗 1608 0 0
55 チップ抵抗 2012 472 4.7k

 

コンデンサ
番号 C 種類 サイズ マーキング 測定値[F]
101 アルミ電解 日本ケミコン 4ME 470 25V 470μ
102 アルミ電解 日本ケミコン 4FY 1500 6.3V 1500μ
103 チップコンデンサ 1005 48n
104 チップコンデンサ 2012 1n
105 チップコンデンサ 1608 98n

 

<回路図>

回路図

 

<その他解析イメージ>

X線解析 パターン計測 断面解析
X線解析 パターン計測 断面解析
     
電気的特性評価 観察 機器分解・加工
電気的特性評価 観察 機器分解・加工
   
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   リバースエンジニアリング プラスワン?
   DM第二弾!リバースエンニアリングPlus
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   おかげさまでお問い合わせ急増!リバースエンジニアリング Plus♪
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   BOMリストだけのリバースエンジニアリングでも回路設計の会社に依頼がオススメです!
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   分解調査レポート販売についてご紹介します♪
   テクノフロンティア2022に「分解調査レポート販売」を展示しました♪
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積層板の簡易熱反り計算ツール

加熱・冷却工程で生じる積層板の熱反り挙動(熱応力)を解析するエクセルベースの計算ツールです。

【ツールの特徴】

異なる材料で構成された積層構造体(基板、半導体、等)は、各材料の物性値の差により、温度変化で熱膨張・収縮によって反りが発生し、各材料に熱応力が発生します。本ツールでは、温度変化で、各層にどれ位の応力が発生するのか、またどれくらい反りが発生するのかを、簡易計算します。

  • 各材料の物性値にガラス転移温度Tgや線膨張係数(α1α2)を入力することで温度依存のある構造体も計算が可能です。
  • 3層以下の場合も、データは4層に分割して入力することで計算できます。

■入力データ

■出力結果

【以下のような場合などに便利です】

  1. 応力シミュレータを使用すると時間がかかるため、素早く簡易的に状況を把握しておきたい。
  2. 試作品の反りで問題が発生しているため、各材料の厚みによる影響を確認したい。
  3. 自社のシミュレーション技術者が他業務で多忙のため、なかなか計算結果がもらえない。まずは各パラメータによるアタリをつけておきたい。

 

【簡易熱反り計算ツールの⼊⼿について】

本ツールは以下の価格でご提供させていただいております。

価格29,800 円(税別)

ツールお申し込みからご購⼊までの流れは次のとおりです。

  1. お申し込みページから必要事項やアンケートにご回答いただきます。
  2. ご回答いただいたメールアドレス宛に弊社営業担当から「お振込のご案内」メールをご連絡いたします。
    万が一弊社からの「お振込のご案内」メールが届かない場合は、お⼿数をおかけしますがお問い合わせフォームまたはお電話にてお問合せください。
  3. ご⼊⾦を確認した後、通常3 営業⽇以内にツールをメールで送付いたします。

※ 法⼈のお客様限定とさせていただきます。
※ 反社会的勢⼒に該当する⽅からのお申込みはお断りいたします。

以下の申込ページからお申し込みください。
(クリックしていただいても、申し込みはまだ完了となりません。)

簡易熱反り計算ツールの申込みはこちら

【動作環境】
Microsoft Excel が必要となります。(Excel 2016 で動作確認済、その他のバージョンは未確認)

 

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熱流体解析を用いた放熱対策
高精度な温度測定(半導体パッケージの熱抵抗測定技術)

WTIブログもご覧ください
製品の熱マージンがもうない!正しく予測するには半導体を知る必要がある
2017年度インターンシップの受入を終えて
温度変化で発生する熱応力は、想像以上に大きい

社長ブログ(シミュレーション関連)
1DAYインターンシップ やってま~す♪
「熱反り計算ツール」のお問合せが増えています
微細化・高密度化が進むプリント基板、信頼性をどう担保するか?

温度サイクル試験の寿命予測・改善
落下・衝撃の問題対策
製造・搬送を想定したときの筐体の強度検証・対策
高速伝送基板設計サービスの概要

構造・応力解析に戻る

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【当ページ関連の資料タイトル】
●「半導体パッケージの熱抵抗測定技術」
●「応力シミュレーション事例

 

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高速伝送基板設計サービスの概要

■基板層数低減を実現します
  • パッケージのピン配置の入れ替え
  • 部品配置の最適化
  • 配線の引き出し方、ビアの打ち方などの考慮
などの対策により、層数低減をご提案し、お客様の原価低減に貢献いたします。
基板層数低減の実績(例)
カーナビ 8層ビルドアップ 6層貫通基板に
映像(TV)カメラ 10IVH 8層貫通基板に
 
■最適なピン配置をご提案します 不要な配線やビアの引き出し方を考慮することで電源プレーンの安定化を図ります。 お客様のメリット
  • 配線・実装面積縮小
  • 安価な基板
  • 基板層数低減
悪いピン配置の例 最適ピン配置の例
電源・GNDプレーン に連続穴があく 無駄なビアが減り、ボード伝送特性、 給電性能が向上する
 
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製造・搬送を想定したときの筐体の強度検証・対策

荷重による局所的な応力集中は、変形・破断等の重大な問題を発生する場合があります。 リスク対策として、事前の強度検証が必要です。

製品の輸送・荷重における筐体の強度に懸念はありませんか?

製品の輸送・荷重における筐体の強度に懸念はありませんか?

輸送時・荷重時に局所的な応力集中が発生し、フレームの変形等が発生する場合があります。 シミュレーションで事前に強度検証および対策案の提案を行います。
輸送時・荷重時に局所的な応力集中が発生し、フレームの変形等が発生する場合があります。 シミュレーションで事前に強度検証および対策案の提案を行います。

製品の取り付け状態(ねじ止め時の筐体の変形等)をふまえた解析で、 要因を分析して対策案の提案をさせていただきます (追加試作・評価で発生する100万円単位のロスコストを低減)

Wave TechnologyWTI)の特徴>

  • シミュレーションだけでなく、筐体設計、基板設計等の専門エンジニアによる豊富な知見から改善に向けた提案をさせていただきます。
 
その他のシミュレーションサービス機構・筐体の設計(防水、小型化)構造・応力解析に戻る WTIブログもご覧ください 製品の熱マージンがもうない!正しく予測するには半導体を知る必要がある 2017年度インターンシップの受入を終えて 温度変化で発生する熱応力は、想像以上に大きい社長ブログ(シミュレーション関連) 1DAYインターンシップ やってま~す♪ 「熱反り計算ツール」のお問合せが増えています 微細化・高密度化が進むプリント基板、信頼性をどう担保するか? ※※ お役立ち情報のご請求はこちら ※※ 【当ページ関連の資料タイトル】 ●「半導体パッケージの熱抵抗測定技術」 ●「応力シミュレーション事例   WTI動画リンクはこちら  WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。

落下・衝撃の問題対策

複雑な構造の製品において落下衝撃に対する対策は、経験による対応が難しくなっています。
WTIではシミュレーションで構造的な課題を抽出し、コスト・組立性等を考慮した対策案をご提案します。

落下・衝撃の問題で対策に追われていませんか?

落下・衝撃の問題で対策に追われていませんか?

落下衝撃

落下衝撃で半導体部品のはんだクラックや配線切れが
発生するような応力の集中に対して、効果的な対策案を
検討したい。

落下の衝撃ではんだボール部にクラックが発生する。

パッケージ構造を考慮したシミュレーションで落下・衝撃時の
信頼性の最適化に向けた改善案を提案させていただきます
(追加試作・評価で発生する100万円単位のロスコストを低減)落下・衝撃に関する問題を検討する際は、一度ご相談ください。

Wave TechnologyWTI)の特徴>

  • 半導体ベンダと協力関係にある実績より、パッケージ構造を熟知しており、シミュレーションと実測との整合性に活かしています。
  • シミュレーション、実装、評価、機構(筐体)設計の専門エンジニアによる豊富な知見から信頼性の最適化に向けた提案をさせていただきます。

 

その他のシミュレーションサービス
機構・筐体の設計(防水、小型化)

構造・応力解析に戻る

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2017年度インターンシップの受入を終えて
温度変化で発生する熱応力は、想像以上に大きい

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●「応力シミュレーション事例

 

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温度サイクル試験の寿命予測・改善

【目次】

製品の温度サイクル試験の問題で対策に追われていませんか?
パッケージ構造を考慮したシミュレーション結果のご提供により、温度サイクル試験の寿命を改善し、不要な評価のコスト削減や寿命改善に向けた対策をサポートします。

 

電子機器の信頼性確保

電子機器の市場動向は小型化・高密度化を求めており、その一方で信頼性(寿命,温度領域等)には、高いスペックを求められるケースが急増しています。車両用電子機器や屋外設置用機器は、夏の炎天下から寒冷地までさまざまな温度条件への適合性が求められます。また、屋内機器であっても、低温環境から高温環境まで機器の設置環境ごとの温度条件への適合性が求められます。そのため、厳しい温度変化に対する長期的な信頼性の確保が更に重要となってきています。

 

熱疲労による破壊モード

実使用環境下におけるはんだ接合部の問題の一つが、熱に基因する熱疲労破壊です。電子部品と基板は多くの場合、線膨張係数が異なるため、電子部品の自己発熱や外部からの輻射熱などによる温度変化が発生すると部材間に熱膨張差が生じ、構造強度上最も弱いはんだ接合部周辺に応力が集中します。この温度変化の繰り返しによって、はんだ接合部や配線パターンに熱疲労によるクラックが発生し、最終的に破断・断線に至ります。

はんだ接合部の断面研磨写真(温度サイクル試験の不良品) QFP
QFP
はんだ接合部の断面研磨写真(温度サイクル試験の不良品) BGA
BGA

はんだ接合部の断面研磨写真(温度サイクル試験の不良品)

電子機器内の基板には、大小さまざまな電子部品や半導体デバイスが実装されています。その中で電子機器の高性能化(小型化)に向けて、使用する電子部品は変化していきますが、新しい電子部品に対する設計ルールがない場合があります。

BGA(Ball Grid Array) やCSPChip Size Package)などのパッケージは、QFPQuad Flat Package)などの従来のパッケージに比べると、リード部による応力緩和が期待できないため、パッケージと実装する基板との熱膨張差の影響が大きくなり、信頼性の確保が難しいパッケージ構造となります。

QFP(リード部)
QFP(リード部)

BGA(はんだ接合部)
BGA(はんだ接合部)

温度変化によるQFPBGAの変形傾向の差異
(シミュレーション結果)

 

温度サイクル試験

電子機器におけるはんだ接合部の熱疲労破壊を対象とした寿命評価・予測は重要であり、製品開発では長期的な信頼性を確認するために加速試験(温度サイクル試験※)を実施しています。

※半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法
JEITA ED-4701/100A(試験方法105A 温度サイクル試験)

しかし、温度サイクル試験は、結果を得るには数週間~数ヶ月の期間を要します。また、現在の電子機器は構造が複雑、かつ電子部品が密集して基板に実装されているため、温度サイクル試験だけでは不良が発生しても、その要因・対策が分かりません。そのため、製品開発では設計・試作・試験を繰り返し、結果として製品開発期間が長くなり、開発コストが高くなる場合があります。

 

温度サイクル試験の寿命予測

温度サイクル試験におけるはんだ接合部の寿命予測はひずみ振幅を考慮した(1)(2)式で示す修正コフィン・マンソン(Modified Coffin-Manson)則が一般的に知られており、シミュレーションでひずみ振幅を計算して、寿命を予測します。

CSP及びBGAパッケージの実装状態でのはんだ接合部の耐久試験方法
 JEITA ET-7407B(附属書A はんだ接合部の温度サイクル試験の加速性について)

(2)式より、市場条件と試験条件の加速係数Afを求めると、(3)式となる。

 

まとめ(温度サイクル試験の信頼性確保に向けて)

ここまでご説明してきましたように、電子機器の温度変化に対する長期信頼性の確保が重要となる中、新しい構造の電子部品や半導体デバイスを採用する場合は、設計ルールを新たに設定するかどうかを実設計作業前に判定する必要があります。この判定を省略すると、設計後に信頼性上の問題が発覚し、設計の手戻りが発生する可能性が高まり、結果的に製品開発期間の長期化と開発コストの増加を招く恐れがあります。

そこで、新しい構造の部品採用に対しては、以下の手順を踏むことが強く推奨されます。

1.温度サイクル試験を実施する。(製品レベルではなく、事前検証サンプルで実施)

2.温度サイクル試験の結果から実製品の寿命予測、及び、長寿命化に向けた分析・対策を検討する。(1.のみの実施では対策の知見が得られず、実製品の開発にフィードバックができなくなります。)

WTIでは、長年にわたる半導体ベンダやセットメーカ(車載機器、モバイル機器、屋外設置機器、等)との協業実績から、半導体部品の内部構造の知見だけでなく、様々な使用環境に対応したシミュレーションのノウハウがあります。また、温度サイクル試験サンプルの分析(破断箇所の特定、断面研磨確認、等)を行い、シミュレーションへフィードバックして寿命予測の精度向上に努めています。これら蓄積データに基づき、経験豊富な専門スタッフが、お客様の課題解決に向けたご提案をさせていただきます。

半導体部品の内部構造をシミュレーションモデルへ反映

X線による水平構造の調査       断面研磨による縦構造の調査
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半導体パッケージの熱抵抗測定技術

■目次

 

イントロダクション

半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか?

ダイオード
ダイオード
ダイオード

測定用素子として良く利用されるダイオード(PN接合)の特性を理解しないと、正しく測定できない場合があります。

 

ダイオードのI-Vカーブはどんな意味を持っているか?

●ダイオードのI-Vカーブは指数特性で表現される

ダイオード(PN接合)のI-V特性

ダイオード(PN接合)のI-V特性

■ショックレーのダイオード方程式

I=Isexp(qV/nK T-1
I=IsexpqV /nK T)〕

Is:飽和電流

T:温度[K]

Q:電荷素量(1.602E-19
Nideality Factor

K
:ボルツマン定数(1.38E-23

                        具体的にはどういうこと?

電流側(Y軸)を対数で見ると・・・

電流側(Y軸)を対数で見ると・・・ 電流側(Y軸)を対数で見ると・・・
   ⇒この関係が正しいのであれば、
     熱抵抗取得時の電流・電圧条件は選び易い。

しかし実際は・・・

しかし実際は・・・

 

<実際に測定条件を決める場合>

« 
直列抵抗成分の影響を極力受けない電流条件を選択する。«C)の拡散電流についても考慮必要だが、現実的な電流設定範囲より十分低い電流範囲となるため、検討上は除外しても影響はない

 

直列抵抗成分をもう少し詳しく解説すると

 

本来の温度ドリフトイメージ 直列抵抗成分が含まれる場合 直列抵抗成分も含めた
kファクタ(温度特性)
だから問題ないのでは?
:本来の温度ドリフトイメージ :直列抵抗成分が含まれる場合  
・・・実際には、問題となるケースが多い

熱抵抗測定時に、直列抵抗成分の要因部分と純粋なダイオード部分が


均一の温度上昇すれば問題ないが、実際にはそうでないケースが多い。

この条件を考慮しなかったら・・・

熱抵抗測定用TEGを用いた測定結果差

  熱抵抗 θja
A社 測定結果 169.1/W
弊社 測定結果 117.4/W
 
 
  52/W

参考)シミュレーション結果: 116.7℃/W

測定電流の妥当性考慮が大きく結果に影響を及ぼす。

測定差異の要因を分析すると・・・

Kファクター取得時 熱抵抗取得時
Kファクター取得時 熱抵抗取得時
Kファクター取得時 熱抵抗取得時

 

直列抵抗成分がクセモノ!

Kファクター取得時は、測定対象全てが均一温度
⇒熱抵抗取得時は、直列抵抗のドリフト成分が軽減される

 

単純TEGモデルにおいても考えるべき事は多い・・・

 

単純TEGモデル TEG測定の課題1>
Diは本当に純粋なダイオードの特性を示すか?

  ⇒半導体の電位固定用構造が用意されていないTEG測定の課題2

  R HeatDiの温度は同じか?
⇒熱的距離は結果に意外に影響する

 

熱特性を把握するには、今まで解説してきた測定電流値のみではなく考慮すべき事項が多々存在する。

 『寄生回路』
  ⇒半導体内の回路構造(島分離構造)を把握する必要がある。

 『発熱源と温度検出用素子の位置関係』

⇒シミュレーションとの整合で精度を上げていくことを推奨する。

 

TEG測定での落とし穴

 

Point1 : 温度検知用素子への電流値条件
       ⇒ 直列抵抗成分の影響を極力排除した条件設定が必要
Point2 : 寄生回路の影響
       TEGの接続条件によっては、デバイス構造に起因した
          寄生回路が構成され、測定結果に大きく影響する。
Point3 : 熱源・温度検知素子
       ⇒ 熱源と温度検知用素子の位置関係によっては、正しい
          熱源温度をモニターできていない可能性がある。

⇒上記Pointが考慮されないと
  熱抵抗を測定するためのTEGを使っても正しい熱抵抗が測定できない!

 

製品環境でのパッケージ熱抵抗測定技術

製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った熱抵抗解析を
高精度に評価する技術が必要となります。

<実デバイスの熱特性評価>

l  従来一般的に行なわれてきている手法
l  その問題点

l 
弊社が考案した手法の実例紹介
実デバイスの熱特性評価

 

従来一般的に行なわれてきている手法

『電源・GND逆接により構成される寄生Diを用いた発熱と温度検知』

インバータ回路の電源・グラウンドを逆接した場合のイメージ図
インバータ回路の電源・グラウンドを逆接した場合のイメージ図

 

半導体内には、このようにPN特性を抽出できる部位が無数に存在している

 

従来手法の問題点

『実際には純粋なPNのダイオード特性のみではなく、寄生回路も同時に動作する

インバータ回路内での寄生回路動作の一例
インバータ回路内での寄生回路動作の一例

 

ダイオードと寄生回路が混在した状態した場合、どのような動作になるか?

 

マイコンのVCC-GND間を逆接続状態にし、
PN接合順方向動作(させたつもり)時の
マイコンチップ表面温度分布
チップ面全体を均一に発熱させたいが、
 温度ムラが見られる。 『なぜか?』 <原因1>
  ダイオードと寄生回路素子の並列回路が
  動作するため、チップ面内で動作が不均一
  になり、電流集中が発生する場所が出来る。

 <原因2>
  ダイオードは温度上昇と共にVF電圧
  がNegative方向にドリフトするため
  Vf低下⇒電流集中⇒Vf低下⇒電流集中
  ホットスポット化が進む。

 <原因3>
  Chip全体を発熱させる電流が必要となる。
  高い電流を流せば、W/BパッドやWire
  ジュール熱の影響が出る。

マイコンチップ表面温度分布

 

弊社が考案した手法の実例紹介

VCC系端子のクランプ特性を用いた局所発熱

VCC系端子のクランプ特性を用いた局所発熱

 

VCC系端子に高電圧を印加すると、PN接合部が逆バイアス状態となり、
一定電圧を超えると、ブレイクダウンする(アバランシェブレークダウン)。   ⇒ この現象を活用した実例を紹介

 

弊社考案方法の方向性

★従来手法の問題点を解決したい

<既存手法の問題点>
  ⇒ チップ全体でなくても、動作エリアを確実に把握できる発熱源を使いたい
  ⇒ 印加電流を押さえ、ジュール熱の影響を受けないよう電力供給を行いたい
<解決策>
  高耐圧のエリアをクランプさせ低電流・高電圧で発熱させる
  AVCCは高耐圧クランプが期待できる(10V以上の耐圧が望ましい)

★クランプ耐圧を使う場合の測定上の効果

クランプ発熱時、耐圧が温度と共にPositive側にシフトする。
この特性により、該当領域の温度を均一に保つことができる。⇒耐圧の低い部分に電流が流れ、温度を上昇させる。
 温度上昇により耐圧がPositive側にドリフトするので
 結果的に該当領域全体が均一耐圧及び均一温度に
 自動的にコントロールされる。

★製品発熱ブロックでの熱抵抗が求まるか?

  仮にAVCCのような端子を選択した場合、動作エリアはアナログブロック
に限定できるが、肝心のパッケージ熱抵抗算出にあたっては問題に
ならないか!

   ・・・・・熱抵抗測定で用いたブロックと製品発熱ブロックの違い

 

熱シミュレーション技術とコラボレートすることで、解決できる!

 

具体例紹介 ・・・ SH2マイコンを使った確認事例

 

SH2マイコンを使った確認事例

赤枠領域はアナログブロック領域に相当する。
AVCCに電流を供給し電圧クランプさせると、アナログ領域が均一に発熱する。
また、 GNDVCCの順バイアス時に比べ、パッド及びワイヤ部ジュール発熱の

影響が殆ど見られない。アナログ領域に存在するI/Oを使えば、I/OESD保護Diを何れか1素子任意に
選択し、該当領域の温度を正確に知ることができる。

熱シミュレーションを行なってみたところ・・

熱シミュレーションを行なってみたところ・・
実測 :θja = 55.1/W
Sim :θja = 53.2/W 

-3%程度の誤差に収まる。

熱シミュレーションを行なってみたところ・・
従来手法の一例では、+188%程度の差
(実測が低すぎる)
が確認された。
従来手法による熱特性の取得結果は、
技術的に解析できない手法である。

そのため、熱設計の指標値として扱う
には難がある。

 

製品動作時発熱エリアを考慮した熱抵抗はどうなるのか?

 

局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの
整合モデルが作成出来ていれば、任意発熱時の
熱抵抗がシミュレーションで解ける。

更に、本技術を使えば

製品環境で熱抵抗を高精度に検証することが可能。

 

熱抵抗検査装置ご紹介

弊社では、実測~シミュレーションまでの一貫した受託サービスと合わせ、
熱抵抗検査装置を独自設計できる技術を保有しております。

システム紹介
システム紹介 <システムの詳細仕様>
 ・最大10chでの並列測定が可能
 ・定電流、定電圧、定電力の3モードに対応
2端子制御の制約内で定電力コントロールが可能

 ・定電流、定電圧、定電力の3モードにおいて
PWMによる発熱動作が可能

 ・定常/過渡の両方に自動測定対応可能(過渡は条件付き)
 ・全波形情報を自動保存し、Viewer機能で集録可能
 ・新しいJEDEC規格である“JESD51-14”に対しても、
検査装置自体は標準対応(冷却過程での測定)

 ★今回提案の新方式にも全ch対応可能
 市場のあらゆるニーズにご対応します。
 事例は弊社開発専用装置であり、ご要望に応じ最適仕様
 のシステム提案が可能です。

 

イントロダクション
ダイオードのI-Vカーブはどんな意味を持っているか?
直列抵抗成分をもう少し詳しく解説すると
単純TEGモデルにおいても考えるべき事は多い・・・
TEG測定での落とし穴
製品環境でのパッケージ熱抵抗測定技術
従来一般的に行なわれてきている手法
従来手法の問題点
ダイオードと寄生回路が混在した状態した場合、どのような動作になるか?
弊社が考案した手法の実例紹介
弊社考案方法の方向性
具体例紹介・・・ SH2マイコンを使った確認事例
製品動作時発熱エリアを考慮した熱抵抗はどうなるのか?
熱抵抗検査装置ご紹介
熱流体解析を用いた放熱対策
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●「半導体パッケージの熱抵抗測定技術」
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