#029 EMI対策 ～コモンモードノイズ発生のメカニズム その②～ 2018年6月5日2018年6月5日 今回は差動回路とコモンモードノイズについてお話しします。 USB通信、CPUと液晶ドライバ間の通信用シリアルインターフェースであるLVDS（MIPI等）は差動回路で構成します。 続きを読む → EMI対策, 電子回路設計 ヒントPLUS☆
#028 EMI対策 ～コモンモードノイズ発生のメカニズム その①モード変換～ 2018年4月10日 #015 EMI対策 ～コモンモードとノーマルモードってなに？～に続いて、コモンモードノイズ発生のメカニズムについてお話します。 続きを読む → EMI対策, 電子回路設計 ヒントPLUS☆
#027 高周波 ～高周波部品（コンデンサ）について～ 2018年2月8日2018年1月29日 高周波回路でのコンデンサの用途は主に バイパス用コンデンサ マッチング用コンデンサ があります。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 高周波
#026 高周波 ～高周波回路設計ヒントPLUSについて～ 2018年1月25日 Bluetoothや無線LANが内蔵されたスマートフォンやタブレットなどのモバイル機器などに加えて、近年は車載レーダーやテレマティクスなど身近なものにも高周波部品を使った高周波(RF)回路が重要な役目を果たしています。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 高周波
#025 電源 ～パワエレ設計（電解コンデンサの選定）～ 2018年1月24日 スイッチング動作による高周波成分の除去には、LやCのフィルタが必要と#021（スイッチング素子）のところで記載しましたが、その内、コンデンサの選定、特に電解コンデンサについては、以下を考慮する必要あります。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 電源
#024 電源 ～パワエレ設計（MOSFETの選定）～ 2018年1月24日 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の選定については、以下を考慮する必要があります。 IGBT同様に、電圧駆動型の素子です。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 電源
#023 電源 ～パワエレ設計（IGBTの選定）～ 2018年1月24日 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）の選定については、以下を考慮する必要があります。 パワートランジスタと違って、電圧駆動型の素子です。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 電源
#022 電源 ～パワエレ設計（ダイオードの選定）～ 2018年1月24日2018年1月24日 整流に使用するダイオードの選定については、耐圧、電流容量、オン電圧、スィッチング時間を考慮する必要があります。 特にオン電圧は、導通損失に関係するため、効率を考えた選定が必要となります。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 電源
#021 電源 ～パワエレ設計（スイッチング素子）～ 2018年1月24日 使用用途によりスイッチング素子は様々であり、ダイオード、サイリスタ、パワートランジスタをはじめ、IGBT、MOSFET等があります。 パワエレの分野においては、スイッチングによる低損失な電力変換が最も重要となります。 続きを読む → 電子回路設計 ヒントPLUS☆, 電源
#020 計測・テスト ～リーク電流ってどうやって測定してますか？～ 2018年1月24日 今回は、電流検出に関してのお話です。 電流検出と言えば、以前ご紹介したように、径路中にシャント抵抗を挿入して、各種オペアンプや計装アンプを使い、回路を構成する方が多いのではないでしょうか。 続きを読む → 計測・テスト, 電子回路設計 ヒントPLUS☆
