Wave Technology(WTI)-ウェーブ・テクノロジ

WTIは技術者不足を解決する「開発設計促進業」です

▶ WTI新着情報 ▶ WTI会社概要 ▶ WTI人材採用(新卒中途)▶ WTI保有特許 ▶ お問い合わせ ▶ キャラクター紹介

#077 EMI対策 ~T型アッテネータ~

今回はT型アッテネータのお話です。

前回(#076 EMI対策 ~抵抗減衰器(アッテネータ)~)は信号源出力から見た インピーダンスZOを式で表現するところまで説明した。
T型アッテネータは以下のような構成になり、信号源の出力インピーダンスと負荷インピーダンスをZOとし、さらに信号源出力から見たインピーダンスもZOに見えるようにR1とR2を決めるのじゃったな。

続きを読む

#071 EMI対策 ~キャパシタの共振5~

#69に引き続いて、キャパシタの共振のお話です。
今回は2つのキャパシタのESLについて検討します。

最初に、反共振周波数のインピーダンスを下げるために0.1μFのESLを振ってみよう。
●検討3
キャパシタの定数を0.1μFと100pFに設定する。
0.1μFのESR1は0.02Ω、100pFのESR2は0.1Ωに固定する。
100pFのESL2は0.3nHに固定し、0.1μFのESL1を振ってみよう。

続きを読む

#069 EMI対策 ~キャパシタの共振4~

今回も引き続き、キャパシタの共振のお話です。

前回は並列に2個接続したキャパシタの合成インピーダンスを求め、グラフ化する計算ツールを作った。(#067 EMI対策 ~キャパシタの共振2~#068 EMI対策 ~キャパシタの共振3~ 参照)
今回はこの計算ツールを使って、反共振インピーダンスの抑制や低インピーダンス化の検討をしてみよう。
●検討1
Z1のキャパシタを0.1μFで固定し、Z2のキャパシタC2を変化させたときのインピーダンスを調べてみよう。 0.1μFとC2のESL(0.3nH)とESR(0.02Ω)は同じ値にして計算するのじゃ。

続きを読む

#067 EMI対策 ~キャパシタの共振2~

今回は引き続きキャパシタの共振のお話です。

前回はキャパシタ1個のインピーダンスを求め、インピーダンスの周波数特性を確認した。
今回はキャパシタ2個を並列に接続したときの合成インピーダンスZを求めて、前回同様に周波数特性を確認してみよう。
なみりん、さっそくZ1、Z2とZのインピーダンスを求めてくれないか。

続きを読む

#066 EMI対策 ~キャパシタの共振1~

今回からキャパシタの共振のお話です。

キャパシタを等価回路で表現すると、容量(C)だけではなく、等価直列インダクタンス(ESL)と等価直列抵抗(ESR)で表すことができる。
なみりんよ、実際にインピーダンスを表現してみようと思うのじゃが、キャパシタのインピーダンスZはどのように表現できるかね?

続きを読む

#065 EMI対策 ~伝送線路6(ダンピング抵抗2)~

前回に引き続き、ダンピング抵抗のお話です。

前回はドライバの出力側にダンピング抵抗Rd:56Ωを追加することで、レシーバ入力端のオーバーシュートを抑制できることを確認した。今回は、ダンピング抵抗Rd:56Ωを追加したことによるアンダーシュートの抑制をBergeron図で確認してみよう。

続きを読む

#064 EMI対策 ~伝送線路6(ダンピング抵抗1)~

今回は、ダンピング抵抗のお話です。

前回はレシーバ入力端のオーバーシュートとアンダーシュートを抑制するために、ドライバ出力側にダンピング抵抗を追加する方法を話した。今回は、ダンピング抵抗を追加したときの回路図、立上り時の格子線図と、ドライバ側とレシーバ側の電圧の時間的変化を図で示そう。

続きを読む

 Copyright © 2020 Wave Technology Inc. all rights reserved.