左の図より、Port 1から2端子対回路を見たときの進行波電圧V_f1・電流I_f1と反射波電圧V_r1・電流I_r1と、Port 2から2端子対回路を見たときの進行波電圧V_f2・電流I_f2と反射波電圧V_r2・電流I_r2を書き込んだものを右図に示す。

前回まではT型アッテネータの話をした。今回はπ型アッテネータの話をしよう。
複雑な回路に見えるが、オームの法則だけで説明ができる。
考え方の基本は、T型アッテネータと同じように考えるのじゃ。まずは基本形を示そう。

前回（#076　EMI対策　～抵抗減衰器（アッテネータ）～）は信号源出力から見た インピーダンスZ_Oを式で表現するところまで説明した。
T型アッテネータは以下のような構成になり、信号源の出力インピーダンスと負荷インピーダンスをZ_Oとし、さらに信号源出力から見たインピーダンスもZ_Oに見えるようにR₁とR₂を決めるのじゃったな。

なみりん、高周波電力を測定する時はどんな測定器を使っているかい？

前回と同じようにExcelで作った計算ツールを使って、今回はキャパシタの自己共振周波数のインピーダンスを下げる方法について検討してみよう。

最初に、反共振周波数のインピーダンスを下げるために0.1μFのESLを振ってみよう。
●検討3
キャパシタの定数を0.1μFと100pFに設定する。
0.1μFのESR₁は0.02Ω、100pFのESR₂は0.1Ωに固定する。
100pFのESL₂は0.3nHに固定し、0.1μFのESL₁を振ってみよう。