Wave Technology(WTI)-ウェーブ・テクノロジ

WTIは技術者不足を解決する「開発設計促進業」です

ESD試験とは

みなさん こんにちは。
パワーデバイス設計課の藤田です。
初めての登場になります。

私は業務の中で半導体製品の試験を行っています。製品の信頼性を確認するため様々な試験を行いますが、そのひとつとしてESD試験があります。 ESD試験は私が携わっている半導体製品にかぎらず、電気回路が搭載された製品で幅広く行われています。そのため、実際に業務の中で実施されている方も多いと思いますが、今回は改めてESD試験の意味について、できるだけ分かりやすくお話しさせていただきたいと思います。

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フィールドアプリケーションエンジニア(FAE)は、どのようにして技術力を高めていくのか?

お客様の「開発設計促進業」 株式会社Wave Technology(WTI)の社長 石川高英です。

主に半導体・部品業界で使われている、フィールドアプリケーションエンジニア(FAE)と呼ばれる職種があります。

セットメーカーなどの顧客の顕在的需要を正しく把握し、又は潜在的な需要を掘り起こした上で、自社製品をどう組み合わせれば顧客のご要望を満たすことができるかを提案する技術営業職の人のことです。営業的側面を持つことから、部品調達の役割も担う場合があります。

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記憶を長期化させるとっておきの方法とは?~当社オリジナルの新人教育プログラムをご紹介します!

みなさんこんにちは。技術教育センター長の前川(まえがわ)です。

4月1日に当社にも新入社員が入社して元気に新人研修を受けています。研修内容は社会人としてのマナーや会社の仕組み・規則などから、アナログ/デジタルの電子回路技術講座まで幅広く行われますが、本日はその講座の効果を高める方法についてのお話しです。

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SiCのMOSFETについて

みなさん、こんにちは。
第二技術部電源設計課の富永です。

今回が、2回目の登場になります。
前回のブログ『SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました』では、SiCのダイオードについてお話しさせていただきましたので、今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。
(当社の「パワーモジュール」評価サービスはこちらカスタム電源設計サービスはこちら

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シャント抵抗について ~高精度に抵抗値を測定したい方へ~

こんにちは、パワーデバイス設計課の中本です。
よろしくお願いします。

2021年の3月11日で東日本大震災からちょうど10年の節目を迎えますが、2月13日に大きな地震が同様の場所で発生しました。専門家のインタビューで東日本大震災の余震であるとのコメントを聞きました。防災セットやポータブル電源を備えていた方、お風呂の水を貯めた方、その他10年前の教訓を生かして行動された方も多くいたようで、被災地の方の危機管理意識の高さに感心しました。

さて本題です。前回のブログではパワー半導体の評価に使用するオシロスコープの基礎知識について書かせていただきました。今回はパワエレ分野で使うシャント抵抗について書こうと思います。

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地球温暖化対策とインバータの関係

地球温暖化対策として、CO2の排出量を削減していくことが重要であることは言を待ちませんが、国内では約4割を占めるCO2の最大の排出源である電力部門の低炭素化が最も重要な対策の一つと言われています。

この電力部門の低炭素化については、いかにしてCO2排出量を下げながら電力を供給するのかということと、いかに消費電力量を低減していくかということが重要な課題です。

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chemSHERPAのバージョン2.02で対応追加となるSCIPって何?

みなさん、こんにちは。
技術教育センターの原田です。

製品に含まれている環境負荷物質情報を伝達するchemSHERPAのバージョンアップが2020年10月に行われました。今回の2.02へのバージョンアップで、SCIPデータベース対応が追加されました。

え?SCIPデータベースって何?どんなことをするの?と疑問がいっぱいという方も多いと思いますので、少しお話ししようと思います。

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電源の新規開発設計でお困りではありませんか?

みなさん、はじめまして。
営業部 ソリューション営業課の杉本と申します。
よろしくお願いいたします。

私事で大変恐縮ですが、昨年9月にWTIに中途で入社、営業部に配属となり、ようやく業務にも慣れて来ました。まだまだ勉強中ではありますが、お客様のお困り事解決に向けて日々奮闘中です。

前職では、半導体メーカーでパワーデバイスの営業をしておりました。
当時からお客様へ訪問、会話をさせていただく中で、

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「パワー半導体」のスイッチング評価は難しい? ~その2~

みなさんこんにちは。
第二技術部の張です。

前回のブログでは、パワー半導体のスイッチング評価において、測定環境が重要であることをお話ししました。今回も前回に引き続き測定環境に関する話をさせていただきます。

パワー半導体のスイッチング評価を行う測定環境を改善するために配線を見直すことがありますが、実は測定系の回路インダクタンスの大きさが定量的にわからないと改善は難しいのです。

ということで、今回は回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法についてお話しします。

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パワーMOSFETのアバランシェ試験とは ~その3~

みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。

前回のブログでお話ししたパワーMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きです。

前回、アバランシェエネルギーが同じであっても、試験条件が異なればMOSFETのジャンクション温度Tjは異なるため、単純に比較できないことをご説明しました。では、前回と同じデバイスで、L負荷の値L=3 µH、アバランシェ電流IAS=50 Aの場合(ケース③)を考えてみましょう。

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