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みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。今回はAQG-324規格のAnnex SiCで規格化されているQL-10 DRB試験（Dynamic Reverse Bias）についてお話ししようと思います。
※AQG-324規格とは、欧州の組織ECPEのワーキンググループによって車載向けパワーモジュール評価に関して策定された規格です。SiCデバイスはSiデバイスと比較して高速でスイッチングが可能なため、より動的なストレスが印加されることになります。そのため、SiCデバイスを高速にオンオフさせ、高dV/dtを印加してパッケージ等を含むデバイス終端構造周辺のdV/dtロバスト性やラッチアップ耐性等を調べる信頼性試験が行われます。それを規格化した試験がDRB試験になります。
DRB試験の試験条件を表1に示します。
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こんにちは。
カスタム技術課の井手です。2025年4月に車載向けパワーデバイス規格AQG-324の最新版が公開されました。今回は特にDGS試験を例に、最新版での変更点に関してお話しいたします。DGS試験は、パワー半導体のSiC MOSFETを対象とした信頼性試験です。SiC MOSFETは、その電力変換効率の高さからエネルギー損失の低減が期待され、近年急速に市場を拡大しています。そのようなホットな製品の規格が4年ぶりに更新されたということで、パワーデバイスの知見を広めるべく、どのように変わったかを調査してみました。
なお、AQG-324は、欧州の組織により策定された車載向けパワーデバイスの規格です。WTIでは車載向け信頼性試験規格に準拠した試験について実施できる環境の構築を進めており、その中でDGS試験の環境構築など、AQG-324規格への対応に向けても取り組んでおります。
続きを読むみなさん こんにちは。技術教育センターの河野です。
2025年度の4月に8名の新入社員が当社に入社され、1か月が経過しようとしています。当社では4月に集合研修を実施し、5月から配属されます。配属先でのOn the Job Training(OJT)に加え、技術教育センターが主催するOff the Job Training(Off-JT)を実施します。この4月の集合研修中にさまざまな研修メニュー(Off-JT)を実施しています。
その中で、スキルアップとして次の5つの講座研修があります。
① 技術文書作成
② PCの使い方
③ アナログ・デジタル回路
④ 回路シミュレーション
⑤ 機械図面の見方・書き方
当社では技術サービス会社として、レポート作成は重要な成果物として考えております。そのためレポートの品質は極めて重要であり、その品質向上に取り組んでいます。各講座研修の詳細は次のとおりです。
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我々営業はお客様のお困りごとの解決に向けて、WTIのサービスを基に日々提案をさせていただいておりますが、その中でこんなお声をよく耳にいたします。
「WTIさんって評価だけでも依頼できるの？」
我々の周知不足を痛感すると共に新たなビジネスチャンスに胸躍らせる瞬間でもあります。
WTIは試作開発や要素検討段階において、お客様の開発をサポートする設計会社ではございますが、設計以外の業務委託も承っております。
その他にもシミュレーションによる解析やリバースエンジニアリングなど、設計業務に付随するサービスも展開しておりますので、今一度各種サービスをご高覧いただけますと幸いです。
その設計業務以外の新サービスとして力を注いでいるのが、今回紹介させていただく「WTIの受託評価サービス」になります。
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自動計測システムや受託評価サービス向けの環境構築、社内向けのツール開発など様々な領域の技術を担当しています。
近年、自動車の電動化をはじめ、産業機器、太陽光発電システム、電源機器など、様々な分野でSiCパワーデバイスの採用が急速に広がっています。SiCパワーデバイスは高速スイッチングや高温動作が可能で、低損失・高効率な電力変換を実現できるという大きな利点を持っています。一方で、従来のSiデバイスと比較して、ゲート酸化膜界面の品質に課題があり、熱的/電気的なストレスによって特性(主にゲートの閾値電圧VGSth)が変動することが知られています。弊社ではこのような課題に対する試験の一つとしてAC-BTI試験の受託サービス提供に向けた試験環境の構築をしております。
弊社環境では JEITA/JEDEC/ECPE の規格に準拠した試験の他に、高温環境での試験にも対応します。
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パワーデバイス設計課の中松です。今回はDGS試験についてお話しいたします。
DGSはDynamic Gate Stressの略で、AC-BTI(alternate current bias temperature instability)やGSI(gate switching instability)とも呼ばれます。SiC MOSFETではSiの場合と同様、正のゲートソース間電圧VGSを印加するPBTI(positive bias temperature instability)や、負のVGSを印加するNBTI(negative bias temperature instability)で閾値電圧のシフトが見られています。
車載用半導体（個別半導体およびパワーモジュール）の信頼性試験でお困りではないでしょうか？当社では、AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託試験サービスを提供しております。
AEC-Q101、AQG-324の試験項目の中には、バイアス試験中の随時電流（リーク電流）モニターや、定格電力の長時間連続印加等、所望の試験を実現させるために環境を構築する技術が必要となる項目があります。
当社では、半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測技術を保有しており、これら課題に応える形で受託評価サービスを提供しております。
規格
試験名称
記号
参照規格 AEC-Q101
定常動作試験
SSOP
MIL-STD-750-1 M1038 ConditionB 高温逆バイアス
HTRB
MIL-STD-750-1 M1038 Method A 高温ゲートバイアス試験
HTGB
JESD22 A-108 高温高湿逆バイアス試験
H3TRB
JESD22 A-101 AQG-324 続きを読む
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク測でお困りでは？
微小電流評価は当社にご相談ください！●微小電流評価サービスとは
●微小電流評価サービス活用例
●微小電流評価の課題と当社特長
●お客様からのご要望が急増している評価サービス
微小電流評価は、パワー半導体の信頼性試験や絶縁材料のリーク電流測定などでニーズが高まっています。主にµA以下の電流測定を必要とするような場面で、ご依頼いただくサービスとなります。自動車、半導体、電子部品、材料メーカー様などからも多くのご依頼実績があります。
- 微小電流(数十pA～µA程度)を多チャンネルで常時モニタリング(測定)可能
- 高電圧印可時(～1000 V)の微小電流測定が可能
- 温度：-40 ℃～150 ℃、湿度：30～95 ％rhまで対応
上記電圧・電流・温度範囲外の場合にも対応いたしますのでお問い合わせください。
- 任意の温度・湿度環境で、多数を同時に測定
- コンデンサ部品や半導体製品のリーク電流測定
- 絶縁材料のリーク測定
- AEC-Q101、AQG-324に準拠した評価
（HTRB、HTGB、H3TRB）その他、微小電流に関してお気軽にお問い合わせください！
微小電流の評価では、温度や測定環境(ケーブルや測定ボード自体)によっても誤差が生じ、安定した測定が課題となります。また多数のサンプルを同時に試験するとなると、その測定はさらに難しいものになります。
当社では、独自で開発・構築した環境を用いて、精度の高い微小電流測定を実現しています。
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 続きを読む
AEC-Q101・AQG-324に準拠した高温逆バイアス試験は
当社にお任せください！●高温逆バイアス試験とは
●HTRB試験の課題と当社の特長
●お客様からのご要望が急増している評価サービス
高温逆バイアス試験とは、高温環境下において、最大定格温度にてドレイン・ソース(コレクタ・エミッタ)間に高電圧の逆バイアスを印加し、デバイスの信頼性レベルを確認する試験のひとつです。当社のHTRB試験は、AEC-Q101、AQG-324に準拠しています。HTRB試験と同様にHTGB試験、H3TRB試験にも対応が可能ですのでぜひご相談ください。
●高温逆バイアス(HTRB)
：最大定格温度にて、最大定格電圧をドレイン-ソース間に印加 ●高温ゲートバイアス（HTGB）
：最大定格温度にて、最大定格電圧をゲート-ソース間に印加 ●高温高湿逆バイアス（H3TRB）
：湿度85％、温度85℃の環境にて、ドレインに最大定格の80％を印加
AEC-Q101、AQG-32では、HTRB試験、H3TRB試験、HTGB試験において、バイアス試験中の随時電流モニターが必要となっております。逆バイアス試験時に流れる電流はデバイスのリーク電流であり、微小電流と呼ばれる領域になります。微小電流を正確に測定するには、計測に関する高い技術が必要となります。
シャント抵抗方式を用い簡易的に測定する方法もありますが、この方法では、一般にμＡ以下の電流を計測ことは難しく、正確な挙動を把握することができません。当社では、半導体に関する知見に加え、カスタム計測システム開発の中で長年培ってきた計測技術を活用し、連続かつ多チャンネルでの微小電流測定を実現しています。
- 微小電流(数百pA～µA程度)測定を多チャンネルで測定できる環境を保有
- 高電圧印可時(～1000 V)の微小電流測定が可能
- 温度：-40 ℃～150 ℃、湿度：30～95 ％rhまで対応 続きを読む
みなさん、こんにちは。
みなさんこんにちは。WTI営業部 塩谷です。
こんにちは。カスタム技術課の川原です。
みなさん、こんにちは。
みなさんこんにちは。技術教育センターの前川です。
