みなさんこんにちは。WTI営業部 塩谷です。
我々営業はお客様のお困りごとの解決に向けて、WTIのサービスを基に日々提案をさせていただいておりますが、その中でこんなお声をよく耳にいたします。
「WTIさんって評価だけでも依頼できるの？」
我々の周知不足を痛感すると共に新たなビジネスチャンスに胸躍らせる瞬間でもあります。
WTIは試作開発や要素検討段階において、お客様の開発をサポートする設計会社ではございますが、設計以外の業務委託も承っております。
その他にもシミュレーションによる解析やリバースエンジニアリングなど、設計業務に付随するサービスも展開しておりますので、今一度各種サービスをご高覧いただけますと幸いです。
その設計業務以外の新サービスとして力を注いでいるのが、今回紹介させていただく「WTIの受託評価サービス」になります。
こんにちは。カスタム技術課の川原です。
自動計測システムや受託評価サービス向けの環境構築、社内向けのツール開発など様々な領域の技術を担当しています。
近年、自動車の電動化をはじめ、産業機器、太陽光発電システム、電源機器など、様々な分野でSiCパワーデバイスの採用が急速に広がっています。SiCパワーデバイスは高速スイッチングや高温動作が可能で、低損失・高効率な電力変換を実現できるという大きな利点を持っています。一方で、従来のSiデバイスと比較して、ゲート酸化膜界面の品質に課題があり、熱的/電気的なストレスによって特性(主にゲートの閾値電圧VGSth)が変動することが知られています。弊社ではこのような課題に対する試験の一つとしてAC-BTI試験の受託サービス提供に向けた試験環境の構築をしております。
弊社環境では JEITA/JEDEC/ECPE の規格に準拠した試験の他に、高温環境での試験にも対応します。
みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。今回はDGS試験についてお話しいたします。
DGSはDynamic Gate Stressの略で、AC-BTI(alternate current bias temperature instability)やGSI(gate switching instability)とも呼ばれます。SiC MOSFETではSiの場合と同様、正のゲートソース間電圧VGSを印加するPBTI(positive bias temperature instability)や、負のVGSを印加するNBTI(negative bias temperature instability)で閾値電圧のシフトが見られています。
車載用半導体（個別半導体およびパワーモジュール）の信頼性試験でお困りではないでしょうか？当社では、AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託試験サービスを提供しております。
AEC-Q101、AQG-324の試験項目の中には、バイアス試験中の随時電流（リーク電流）モニターや、定格電力の長時間連続印加等、所望の試験を実現させるために環境を構築する技術が必要となる項目があります。
当社では、半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測技術を保有しており、これら課題に応える形で受託評価サービスを提供しております。
規格 試験名称 記号 参照規格 AEC-Q101 定常動作試験 SSOP MIL-STD-750-1 M1038 ConditionB 高温逆バイアス HTRB MIL-STD-750-1 M1038 Method A 高温ゲートバイアス試験 HTGB JESD22 A-108 高温高湿逆バイアス試験 H3TRB JESD22 A-101 AQG-324 高温逆バイアス HTRB QL-05
IEC 60747-9:2007 section 7.1.4.1 (IGBT)
IEC 60747-8:2010 (MOSFET)
IEC 60747-2:2016 (diode)
IEC 60749-23:2011高温ゲートバイアス試験 HTGB OL-06
IEC 60747-9:2007 section 7.1.4.1 (IGBT)
IEC 60747-8:2010 (MOSFET)
IEC 60749-23:2011高温高湿逆バイアス試験 H3TRB QL-07
IEC 60747-9:2007 (IGBT)
IEC 60747-8:2010(MOSFET)
IEC 60747-2:2016 (diode)
IEC 60749-5:2017
AEC-Q101：車載用個別半導体を対象とした信頼性試験規格
AQG-324 ：車載用パワーコンバータユニット(PCU)に使用されるパワーモジュールを対象とした信頼性試験規格
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 パワーサイクル試験には、ショートパワーサイクル、ロングパワーサイクルといった2種類の試験があり、JEITA-ED-4701/601 602 603や、AEC-Q101等にて規格化。 AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託評価サービス。半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測評価技術を活用。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク電流測定など、微小電流測定に関する受託評価サービス。µA以下の電流測定を必要とするようなご要望に対応。 測定環境構築も含めて、超低抵抗（微小抵抗）測定や温度特性などを行う受託評価サービス。mΩ以下（μΩやnΩ）クラスの評価に対応。 任意の大電流を単パルスや連続波形として試料に印加し、破壊耐量などを評価する受託評価サービス。1 kA以上やms以下の評価にも対応。
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WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク測でお困りでは？
微小電流評価は当社にご相談ください！●微小電流評価サービスとは
●微小電流評価サービス活用例
●微小電流評価の課題と当社特長
●お客様からのご要望が急増している評価サービス
微小電流評価は、パワー半導体の信頼性試験や絶縁材料のリーク電流測定などでニーズが高まっています。主にµA以下の電流測定を必要とするような場面で、ご依頼いただくサービスとなります。自動車、半導体、電子部品、材料メーカー様などからも多くのご依頼実績があります。
- 微小電流(数十pA～µA程度)を多チャンネルで常時モニタリング(測定)可能
- 高電圧印可時(～1000 V)の微小電流測定が可能
- 温度：-40 ℃～150 ℃、湿度：30～95 ％rhまで対応
上記電圧・電流・温度範囲外の場合にも対応いたしますのでお問い合わせください。
- 任意の温度・湿度環境で、多数を同時に測定
- コンデンサ部品や半導体製品のリーク電流測定
- 絶縁材料のリーク測定
- AEC-Q101、AQG-324に準拠した評価
（HTRB、HTGB、H3TRB）その他、微小電流に関してお気軽にお問い合わせください！
微小電流の評価では、温度や測定環境(ケーブルや測定ボード自体)によっても誤差が生じ、安定した測定が課題となります。また多数のサンプルを同時に試験するとなると、その測定はさらに難しいものになります。
当社では、独自で開発・構築した環境を用いて、精度の高い微小電流測定を実現しています。
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 パワーサイクル試験には、ショートパワーサイクル、ロングパワーサイクルといった2種類の試験があり、JEITA-ED-4701/601 602 603や、AEC-Q101等にて規格化。 AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託評価サービス。半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測評価技術を活用。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク電流測定など、微小電流測定に関する受託評価サービス。µA以下の電流測定を必要とするようなご要望に対応。 測定環境構築も含めて、超低抵抗（微小抵抗）測定や温度特性などを行う受託評価サービス。mΩ以下（μΩやnΩ）クラスの評価に対応。 任意の大電流を単パルスや連続波形として試料に印加し、破壊耐量などを評価する受託評価サービス。1 kA以上やms以下の評価にも対応。
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AEC-Q101・AQG-324に準拠した高温逆バイアス試験は
当社にお任せください！●高温逆バイアス試験とは
●HTRB試験の課題と当社の特長
●お客様からのご要望が急増している評価サービス
高温逆バイアス試験とは、高温環境下において、最大定格温度にてドレイン・ソース(コレクタ・エミッタ)間に高電圧の逆バイアスを印加し、デバイスの信頼性レベルを確認する試験のひとつです。当社のHTRB試験は、AEC-Q101、AQG-324に準拠しています。HTRB試験と同様にHTGB試験、H3TRB試験にも対応が可能ですのでぜひご相談ください。
●高温逆バイアス(HTRB)
：最大定格温度にて、最大定格電圧をドレイン-ソース間に印加 ●高温ゲートバイアス（HTGB）
：最大定格温度にて、最大定格電圧をゲート-ソース間に印加 ●高温高湿逆バイアス（H3TRB）
：湿度85％、温度85℃の環境にて、ドレインに最大定格の80％を印加
AEC-Q101、AQG-32では、HTRB試験、H3TRB試験、HTGB試験において、バイアス試験中の随時電流モニターが必要となっております。逆バイアス試験時に流れる電流はデバイスのリーク電流であり、微小電流と呼ばれる領域になります。微小電流を正確に測定するには、計測に関する高い技術が必要となります。
シャント抵抗方式を用い簡易的に測定する方法もありますが、この方法では、一般にμＡ以下の電流を計測ことは難しく、正確な挙動を把握することができません。当社では、半導体に関する知見に加え、カスタム計測システム開発の中で長年培ってきた計測技術を活用し、連続かつ多チャンネルでの微小電流測定を実現しています。
- 微小電流(数百pA～µA程度)測定を多チャンネルで測定できる環境を保有
- 高電圧印可時(～1000 V)の微小電流測定が可能
- 温度：-40 ℃～150 ℃、湿度：30～95 ％rhまで対応
- 上記電圧・電流・温度範囲外の場合にも対応いたしますのでお問い合わせください
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高精度微小電流測定用設備 |
多チャンネル用オリジナル基板 |
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 パワーサイクル試験には、ショートパワーサイクル、ロングパワーサイクルといった2種類の試験があり、JEITA-ED-4701/601 602 603や、AEC-Q101等にて規格化。 AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託評価サービス。半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測評価技術を活用。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク電流測定など、微小電流測定に関する受託評価サービス。µA以下の電流測定を必要とするようなご要望に対応。 測定環境構築も含めて、超低抵抗（微小抵抗）測定や温度特性などを行う受託評価サービス。mΩ以下（μΩやnΩ）クラスの評価に対応。
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。
AEC-Q101に準拠した定常動作試験(SSOP)は
当社にお任せください！
●定常動作試験サービスとは
●当社定常動作試験の課題と当社特長
●お客様からのご要望が急増している評価サービス
定常動作試験(Steady State Operational：SSOP)とは、ツェナーダイオード（ZDi）に対し定格電力を連続的に長期間印加する試験です。当社のSSOP試験は、AEC-Q101に準拠しており、環境構築を含め対応することが可能です。
- Vz = 0～53 V、Iz = 2 mA～250 mAまでの印加(1chあたり)が可能です
- 上記電圧・電流範囲外の場合にも対応いたしますのでお問い合わせください
SSOP試験では、ツェナーダイオード（ZDi）に対し定格電力の長時間連続印可が必要となっております。AEC-Q101では77台/ロット×3ロットの試験が必要と定義されており、これを同時に複数の製品に対し行う必要があります。
当社では、半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測技術を保有しており、これら課題に応える形でSSOP試験を受託試験サービスとして提供しております。
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 パワーサイクル試験には、ショートパワーサイクル、ロングパワーサイクルといった2種類の試験があり、JEITA-ED-4701/601 602 603や、AEC-Q101等にて規格化。 AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託評価サービス。半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測評価技術を活用。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク電流測定など、微小電流測定に関する受託評価サービス。µA以下の電流測定を必要とするようなご要望に対応。 測定環境構築も含めて、超低抵抗（微小抵抗）測定や温度特性などを行う受託評価サービス。mΩ以下（μΩやnΩ）クラスの評価に対応。
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。
AEC-Q101 試験項目一覧
| 試験項目名(日本語) | 略称 | 試験項目名(英語) |
| 高温逆バイアス試験 | HTRB | High Temperature Reverse Bias |
| 高温ゲートバイアス試験 | HTGB | High Temperature Gate Bias |
| 高温高湿 逆バイアス試験 | H3TRB | High Humidity High Temp. Reverse Bias |
| 定常動作試験 | SSOP | Steady State Operational |
| 前処理 | PC | Pre-conditioning |
| バイアス印加 高温高湿試験 | HAST | Highly Accelerated Stress Test |
| バイアスなし、高温高湿試験 | UHAST | Unbiased HAST |
| オートクレーブ | AC | Autoclave |
| 温度サイクル試験 | TC | Temperature Cycling |
| 高温テスト（温度サイクル試験後） | TCHT | Temperature Cycling Hot Test |
| 内部剥離検査（温度サイクル試験後） | TCDT | TC Delamination Test |
| ON／OFF動作寿命 | IOL | Intermittent Operational Life |
| パワー温度サイクル試験 | PTC | Power Temperature Cycling |
| ACブロッキング電圧 | ACBV | AC blocking voltage |
| 破壊的物理解析 | DPA | Destructive Physical Analysis |
| 寸法測定 | PD | Physical Dimension |
| ワイヤボンドプル強度 | WBP | Wire Bond Pull Strength |
| ワイヤボンド強度 | WBS | Wire Bond Shear Strength |
| ダイシェア強度 | DS | Die Shear |
| リード強度 | TS | Terminal Strength |
| 耐溶剤性試験 | RTS | Resistance to Solvents |
| 半田耐熱性試験 | RSH | Resistance to Solder Heat |
| 熱抵抗測定 | TR | Thermal Resistance |
| はんだ濡れ性試験 | SD | Solderability |
| ウィスカ評価試験 | WG | Whisker Growth Evaluation |
| 定加速度試験 | CA | Constant Acceleration |
| 振動試験 | VVF | Vibration Variable Frequency |
| 衝撃試験 | MS | Mechanical Shock |
| 封止試験 | HER | Hermeticity |
| プロセス変更時に実施 | DI | Dielectric Integrity |
| 外観検査 | EV | External Visual |
| 電気的特性（ストレス試験前後） | TEST | Pre- and PostStress Electrical Test |
| パラメータ検証 | PV | Parametric Verification |
| 人体モデル静電破壊試験 | ESDH | ESD HBM Characterization |
| デバイス帯電モデル静電破壊試験 | ESDC | ESD CDM Characterization |
| 非クランプインダクティブスイッチング | UIS | Unclamped Inductive Switching |
| 短絡試験（ショートサーキット） | SC | Short Circuit Characterization |
AQG-324 試験項目一覧
| 試験項目名(日本語) | No, 略称 | 試験項目名(英語) |
| 高温逆バイアス試験 | QL-05：HTRB | High-temperature reverse bias |
| 高温ゲートバイアス試験 | QL-06：HTGB | High-temperature gate bias |
| 高温高湿 逆バイアス試験 | QL-07：H3TRB | High-humidity, high-temperature reverse bias |
| モジュールテスト | QM-01 | Module test |
| 寄生浮遊インダクタンスの測定 (Lp ) | QC-01 | Determining parasitic stray inductance (Lp) |
| 熱抵抗の測定 (Rth 値) | QC-02 | Determining thermal resistance (Rth value) |
| 短絡耐量の測定 | QC-03 | Determining short-circuit capability |
| 絶縁試験 | QC-04 | Insulation test |
| 機械的データの測定 | QC-05 | Determining mechanical data |
| 温度サイクル試験 | QE-01：TST | Thermal shock test |
| 接触性 | QE-02：CO | Contactability |
| 振動 | QE-03：V | Vibration |
| 機械的衝撃 | QE-04：MS | Mechanical shock |
| パワーサイクル試験(短時間) (ton < 5 s) | QL-01：Pcsec | Power cycling |
| パワーサイクル試験(長時間) (ton > 15 s) | QL-02：PCmin | Power cycle |
| 高温保存試験 | QL-03：HTS | High-temperature storage |
| 低温保存試験 | QL-04：LTS | Low-temperature storage |
| 動的逆バイアス試験 | QL-05a：DRB | Dynamic reverse bias |
| 動的ゲートストレス試験 | QL-06a：DGS | Dynamic gate stress |
| 動的順バイアス試験 | QL-07a：dyn. H3TRB | Dynamic high-humidity,high-temperature reverse bias |
| 高温順バイアス試験 | QL-08：HTFB | High-temperature forward bias |
| 動的高温順バイアス試験 | QL-08a：dyn. HTFB | Dynamic high-temperature forward bias |
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 パワーサイクル試験には、ショートパワーサイクル、ロングパワーサイクルといった2種類の試験があり、JEITA-ED-4701/601 602 603や、AEC-Q101等にて規格化。 AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託評価サービス。半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測評価技術を活用。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク電流測定など、微小電流測定に関する受託評価サービス。µA以下の電流測定を必要とするようなご要望に対応。 測定環境構築も含めて、超低抵抗（微小抵抗）測定や温度特性などを行う受託評価サービス。mΩ以下（μΩやnΩ）クラスの評価に対応。
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。
みなさんこんにちは
パワーデバイス設計課の伊達です。
前回のブログ「パワー半導体」スイッチング評価の電流測定では、電流測定に使用するカレントトランスとロゴスキーコイルの特徴についてお話ししました。
今回は、ロゴスキーコイルを使用した場合のスイッチング評価についてお話します。
みなさんこんにちは。技術教育センターの前川です。
