「パワーデバイス」の検索結果

みなさん、こんにちは。

評価解析技術課の中松です。

パワーデバイスの材料としては、従来Siが主に使用されてきました。しかし近年では、より優れた物性を持つ次世代材料として、SiCやGaNを用いたパワーデバイスの採用が広がっています。特にGaNパワーデバイスは、小型ACアダプタやサーバー電源など、小型化や高効率化が重視される用途で注目されています。

一方で、GaNは高速動作が可能な反面、回路設計や評価時には従来のSiデバイス以上に注意が必要です。

本記事では、GaNパワーデバイスの特長・メリットと評価時に押さえておきたい注意点について解説します。

 

みなさん、こんにちは。営業の塩谷です。

以前に、「パワーデバイスの基礎講座」のご紹介をさせていただきましたが、今回は講座の中でも説明するダイオードについて、解説していきます。

まずダイオードの役割は皆さんご存知でしょうか?。ダイオードの基本的な役割は整流作用です。

みなさん こんにちは。テクノシェルパ技術コンサルタントの河野です。

昨年実施しましたオンデマンド講座の新入社員様向け半額キャンペーンが好評でしたので、今年も6月から実施します。

当社のオンデマンド講座のご案内はこちら

対象となる講座は「Mr.Smithで学ぶインピーダンスマッチングの基礎」、「これだけは知っておきたいEMCの基礎」、「パワーデバイスの基礎」の三つの講座です。

みなさんこんにちは。
営業の塩谷です。

今回は、「パワーデバイスの基礎講座」のご紹介をさせていただきます。
当社の技術講座・オンライン講座はコチラ

講座の紹介の前に、「パワーデバイスとは?」どういうデバイスかわかりますでしょうか?「聞いたことはあるけどよくわからない」、「聞いたこともない」という方もおられると思いますので簡単に説明します。
当社の「パワーモジュール」評価サービスはコチラ

最近、SiC, GaN, Ga2O3などのパワーデバイス、そしてそれらのデバイスを搭載したパワーモジュールの開発に関してのご依頼が増えてきております。

お客様のパワーデバイス・モジュール開発のご支援をさせていただいている当社から見ますと、SiC, GaN, Ga2O3などの化合物半導体系のパワーデバイスの開発には以下の3つの課題があると感じます。

ライブ配信講座 パワーデバイスの基礎

講座概要

ライブ配信講座「パワーデバイスの基礎」をご用意いたしました。
パワーエレクトロニクス技術分野の実務に従事する上で必要なパワーデバイスの基本機能と動作原理が学べます。
パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイントをわかりやすくご説明いたします。

 

受講対象

  • パワーエレクトロニクス技術の基礎を学びたい方
  • パワーデバイス(ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCデバイス)の基礎を学びたい方

 

WTIのパワーデバイスの基礎講座のメリット

<メリット1> 
講座内で復習でき、理解が深まります
WTIのパワーデバイスの基礎講座では、ポイントとなる箇所ごとの演習問題と単元ごとの確認テストをご用意しており、その場で解答を解説いたします。
講座で学んだ内容をその場で復習いただけますので、理解が深まります。

<メリット1> 
講座内で復習でき、理解が深まります

 

<メリット2> 
データシートのポイントが理解できる
パワーエレクトロニクス回路を設計するに際して、キーデバイスであるパワーデバイスを選定するにはデータシートから性能や特性を読み解く必要があります。
本講座ではパワーデバイスのデータシートの内容を解説し、主要特性項目の意味をわかりやすく説明いたします。

<メリット2> 
データシートのポイントが理解できる

 

<メリット3> 
パワーデバイスの構造・動作が理解できる
パワーデバイスの高耐圧のしくみ、縦構造、動作原理をわかりやすく解説いたします。
文献を読んで理解しにくい方にとっても、パワーデバイスの構造と動作が理解できる内容となっております。

<メリット3> 
パワーデバイスの構造・動作が理解できる

 

講座内容

ライブ配信開催日

2026年 4月  6日(月)  10:00~17:00

2026年 5月 11日(月)  10:00~17:00

2026年 6月  1日(月)  10:00~17:00

2026年 7月  6日(月)  10:00~17:00

2026年 8月  3日(月)  10:00~17:00

2026年 9月  7日(月)  10:00~17:00

 

受講料(税抜)

¥50,000

定員

20名

プログラム

1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
 2.1 ダイオードの種類
 2.2 ダイオードの構造と特性
  (1)PN/PINダイオード
  (2)ショットキーバリアダイオード
   <確認テスト>
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
 3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
 3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
  (1)プレーナゲート型MOSFET
  (2)トレンチゲート型MOSFET
  (3)IGBT
   <確認テスト>
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
 4.1 パワーMOSFETの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)駆動回路
 4.2 IGBTの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)パワーMOSFETとIGBTの比較
   <確認テスト>
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
  (1)SiCの物性
  (2)SiCショットキーバリアダイオード
  (3)SiC MOSFET
   <確認テスト>

 

講座お申込み

受講ご希望の方は、「お申込み」ボタンを押し、「お問い合わせ項目」の「技術講座・オンライン講座」を選択後、「お問い合わせ内容」に「ご希望の講座名」と、必要事項(お名前、会社名、連絡先等)をご記入の上、お申込みください。
法人のお客様限定といたします。

 

オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎

講座概要

オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎講座をご用意いたしました。
パワーエレクトロニクス技術分野の実務に従事する上で必要なパワーデバイスの基本機能と動作原理が学べます。
パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイントをわかりやすくご説明いたします。
また、お客様のご要望に応じて受講コースを選択できるよう全単元の講座以外に、テーマ別に受講できるテーマ別講座や単元別講座もご用意しました。

単元 全単元講座 テーマ別講座 単元別講座
半導体の動作原理 MOSFETとIGBT ダイオード MOSFETとIGBTの基本機能 MOSFETとIGBTの諸特性 SiCデバイス
1.パワーデバイスの概要
2.ダイオード        
3.MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理      
4.パワーMOSFETとIGBTの諸特性        
5.SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点        

 

受講対象

  • パワーエレクトロニクス技術の基礎を学びたい方
  • パワーデバイス(ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCデバイス)の基礎を学びたい方

 

WTIのパワーデバイスの基礎講座のメリット

<メリット1> 
講座内で復習でき、理解が深まります
WTIのパワーデバイスの基礎講座では、ポイントとなる箇所ごとの演習問題と単元ごとの確認テストをご用意しており、その場で解答を解説いたします。
講座で学んだ内容をその場で復習いただけますので、理解が深まります。

<メリット1> 
講座内で復習でき、理解が深まります

 

<メリット2> 
データシートのポイントが理解できる
パワーエレクトロニクス回路を設計するに際して、キーデバイスであるパワーデバイスを選定するにはデータシートから性能や特性を読み解く必要があります。
本講座ではパワーデバイスのデータシートの内容を解説し、主要特性項目の意味をわかりやすく説明いたします。
(対象単元:4.パワーMOSFETとIGBTの諸特性)

<メリット2> 
データシートのポイントが理解できる

 

<メリット3> 
パワーデバイスの構造・動作が理解できる
パワーデバイスの高耐圧のしくみ、縦構造、動作原理をわかりやすく解説いたします。
文献を読んで理解しにくい方にとっても、パワーデバイスの構造と動作が理解できる内容となっております。
(対象単元:3.MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理)

<メリット3> 
パワーデバイスの構造・動作が理解できる

 

パワーエレクトロニクスオンデマンド講座はこちら パワーエレクトロニクスライブ配信講座はこちら
オンデマンド講座 ライブ配信講座

 

各コースのご案内

 

パワーデバイスの基礎 全単元講座

講座概要

パワーデバイスの動作原理から諸特性・データシートの読み方が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に30日間です
受講料(税抜)
70,000 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
 2.1 ダイオードの種類
 2.2 ダイオードの構造と特性
  (1)PN/PINダイオード
  (2)ショットキーバリアダイオード
   <確認テスト>
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
 3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
 3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
  (1)プレーナゲート型MOSFET
  (2)トレンチゲート型MOSFET
  (3)IGBT
   <確認テスト>
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
 4.1 パワーMOSFETの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)駆動回路
 4.2 IGBTの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)パワーMOSFETとIGBTの比較
   <確認テスト>
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
  (1)SiCの物性
  (2)SiCショットキーバリアダイオード
  (3)SiC MOSFET
   <確認テスト>

 

   

 

パワーデバイスの基礎 テーマ別講座 半導体の動作原理

講座概要

ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCと半導体の基本機能と動作原理が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に14日間です。

受講料(税抜)

50,400 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
 2.1 ダイオードの種類
 2.2 ダイオードの構造と特性
  (1)PN/PINダイオード
  (2)ショットキーバリアダイオード
   <確認テスト>
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
 3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
 3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
  (1)プレーナゲート型MOSFET
  (2)トレンチゲート型MOSFET
  (3)IGBT
   <確認テスト>
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
  (1)SiCの物性
  (2)SiCショットキーバリアダイオード
  (3)SiC MOSFET
   <確認テスト>

   

 

パワーデバイスの基礎 テーマ別講座 MOSFETとIGBT

講座概要

MOSFETとIGBTの基本機能と動作原理、諸特性とデータシートの読み方が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に14日間です。

受講料(税抜)

50,400 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
 3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
 3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
  (1)プレーナゲート型MOSFET
  (2)トレンチゲート型MOSFET
  (3)IGBT
   <確認テスト>
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
 4.1 パワーMOSFETの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)駆動回路
 4.2 IGBTの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)パワーMOSFETとIGBTの比較
   <確認テスト>

   

パワーデバイスの基礎 単元別講座 ダイオード

講座概要

ダイオードの構造と特性が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
 
受講料(税抜)
 
21,000 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
 2.1 ダイオードの種類
 2.2 ダイオードの構造と特性
  (1)PN/PINダイオード
  (2)ショットキーバリアダイオード
   <確認テスト>

   

パワーデバイスの基礎 単元別講座 MOSFETとIGBTの基本機能

講座概要

MOSFETとIGBTの動作原理が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
受講料(税抜)
21,000 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
 3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
 3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
  (1)プレーナゲート型MOSFET
  (2)トレンチゲート型MOSFET
  (3)IGBT
   <確認テスト>

   

パワーデバイスの基礎 単元別講座 MOSFETとIGBTの諸特性

講座概要

MOSFETとIGBTの諸特性・データシートの読み方が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
受講料(税抜)
42,000 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
 4.1 パワーMOSFETの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)駆動回路
 4.2 IGBTの諸特性
  (1)データシート主要項目
  (2)パワーMOSFETとIGBTの比較
   <確認テスト>

   

 

パワーデバイスの基礎 単元別講座 SiCデバイス

講座概要

SiCデバイスの動作原理が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

  • IDをお受け取りになった時点から受講可能です。
  • 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
受講料(税抜)
21,000 円

プログラム

1. パワーデバイスの概要
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
  (1)SiCの物性
  (2)SiCショットキーバリアダイオード
  (3)SiC MOSFET
   <確認テスト>

   

 

【関連リンク】
パワーモジュール評価サービス
電源(パワエレ)
カーブトレーサ自動測定システム
パワーサイクル試験
技術者教育サービス

WTIブログもご覧ください

パワー半導体の評価は安全が第一
SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました
電源設計技術者が見つからない時代 だから自社で育成する!
パワーエレクトロニクスって、どういうもの?
いまさらなんですが、SiCって何がいいのでしょうか?

 

WTI動画リンクはこちら
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。

みなさん、はじめまして。
パワーデバイス設計課の中松です。

私は主にパワーデバイス(パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品)の評価を行っています。

今回はパワーデバイスの短絡試験についてお話ししたいと思います。
スイッチングによる短絡耐量試験サービスはこちら

「パワーデバイスのパッケージ開発・設計」の求人情報(福岡県)

求人職種

パワーデバイスのパッケージ開発・設計者(福岡県)

採用人数

1名

採用背景

現在、中・大容量電力変換に適用されているパワーエレクトロニクス技術の発展のほとんどが、IBGT*1やIPM*2技術の進化に支えられています。お客様からはパワーデバイスの開発において非常に重要なパッケージ開発業務を依頼いただいています。これら高度な開発を継続することで、エンジニアとして技術レベルを一層高めていける職場です。パワーデバイスのパッケージの開発・設計をご担当いただくエンジニアの方を募集しています。 (*1 Insulated Gate Bipolar Transistor、 *2 Intelligent Power Module)

お任せしたいこと(具体的な仕事内容)

スキルに応じて、半導体パッケージの開発から設計まで機械工学、材料力学の知識や経験を生かし、パワーデバイスのパッケージ開発をご担当いただきます。 当社のLSIパッケージ設計技術サービスの関連情報はこちら

パッケージって何? パッケージの種類は多い! 半導体パッケージの紹介 第3弾『高機能向けパッケージ』

これまでの専門領域に加えて、他技術分野も当社教育システムで学んでいただくことで、より広い技術分野でご活躍いただけるよう配慮いたします。前職で身につけられた技術とのシナジーにより、一層高いレベル、より広い技術範囲でご活躍いただけます。 技術教育センターの説明はこちら ⇒ 社内教育のご紹介

仕事のやりがい

長年、ご愛顧いただいている大手半導体メーカのお客様から大きな信頼を頂き、継続的にご利用いただいています。国内トップレベルのお客様の高いご期待に応えられることは、技術者冥利に尽きますし、仕事を通して技術力を伸ばすことができます。 当社売上の8割が東証一部上場企業で占めるなど、お客様は国内トップレベルの技術水準の会社様ばかりです。そのような高いレベルの顧客から依頼される難易度の高い開発案件の遂行を通して、自らの技術を高めていけることが当社で仕事をすることの魅力の1つです。 当社は、技術力でお客様から定評があります。

お客様の声 WTIが選ばれる理由No.1は「技術力」

雇用形態

正社員

対象者

募集職種の経験者が望ましい。 機械工学や材料力学の知識、半導体パッケージ設計のご経験者は歓迎します。 ※ 未経験者、経験の浅い方には、社内の技術教育センターで 充実した教育プログラムを実施するなど、丁寧に指導します。

学歴

理工系の専門・高専・短大・大学(院)卒

年齢

不問

勤務時間

8:30~17:15 フレックスタイムの適用となることあり。 (標準労働時間8時間/日、コアタイム10:30~15:15)

休日

完全週休2日(土日)、祝日、メーデー、夏季、年末年始 年間平均休日125日

休暇

年次有給休暇(初年度15日) 特別休暇(慶弔、誕生・結婚記念日・配偶者出産日) 半日休暇・失効年休積立保存制度

給与

基本給(日給月給制) 204,000円~293,300円 その他諸手当あり ※経験・能力・年齢を考慮し当社基準により決定します。 ※経験・スキルによっては、上記以上の処遇についてご相談をさせていただきます。 諸手当 時間外、休日、家族、昼食補助、通勤費ほか 昇給 年1回 4月 賞与 年2回 6・12月 退職金制度あり

労働組合

なし。社員代表組織(VOICE)が代行

福利厚生諸制度

■健康保険組合・厚生年金基金加入 ■創立記念パーティー ■同好会費補助 ■提携保養所施設 ■独身寮 ■団体生保・損保 ■酒肴料補助 ■社内融資 ■業績表彰制度 ■財形貯蓄ほか

研修制度その他

技術教育センター実施の各種専門講座、技術交流会、通信講座支援制度

勤務地

福岡市西区

配属先

応用機器設計部、デバイス技術部

応募方法

エントリーシートからご応募お願いいたします

又は、 採用専用フリーダイヤル0120-419148にお電話の上、履歴書・職務経歴書の郵送をお願いいたしします
お問合せ先

人事総務課 辻井 電話 072-758-5811(代表) 採用専用フリーダイヤル 0120-419148 採用E-mailアドレス;info@wti.jp

WTIブログもご覧ください

WTIが選ばれる理由No.1は「技術力」

「電源回路、パワーデバイスの開発・設計」の求人情報(中途採用・キャリア採用)

求人職種

カスタム電源回路・電源機器・パワエレ機器の開発者・設計者

採用人数

若干名

勤務地

兵庫県、長崎県

採用背景

近年、太陽光発電、風力発電、EV/PHV、スマートグリッド(次世代送電網)、医療機器、ヘルスケア製品の需要が増大しており、それに伴い、電源回路・電源機器・パワエレ機器の開発が加速しています。当社には、上記分野の開発・設計の依頼が増加しており、電源回路・電源機器・パワエレ機器の開発・設計をご担当いただけるエンジニアの方を募集しております。

お任せしたいこと(具体的な仕事内容)

0.1W以下からkWオーダーの大電力までの、汎用電源では対応できないオーダーメイド(カスタム)電源の開発・設計をご担当いただきます。お客様側で明確な電源回路イメージがない場合も、しっかりとお客様にヒアリングしながら、当社が主導する形で仕様仔細を決めていくスタイルを採ります。つまり、技術コンサル的な側面も持った仕事です。

当社のデジタル回路部門、パワーデバイス部門、高周波デバイス部門、応力・熱シミュレーション部門など、社内のコア技術を複合的に活用することにより、難易度の高いカスタム電源の設計もご担当いただきます。

当社の電源(パワエレ)技術サービスの詳細はこちら

電源(パワエレ)ホームページ
ワイヤレス給電の受託設計・評価サービス(WPT:無線電力伝送)
技術者は原理原則の理解が大事なんです!
太陽光発電システムの縁の下の力持ち ~パワコンとは~
ワイヤレス給電の設計・評価サービスを開始!
展示会もやります! ~無線電力伝送(ワイヤレス給電)~

これまでの専門領域に加えて、他技術分野も当社教育システムで学んでいただくことで、より広い技術分野でご活躍いただけるよう配慮いたします。前職で身につけられた技術とのシナジーにより、一層高いレベル、より広い技術範囲でご活躍いただけます。
技術教育センターの説明はこちら
⇒ 社内教育のご紹介

仕事のやりがい

当社売上の8割が東証一部上場企業で占めるなど、お客様は国内トップレベルの技術水準の会社様ばかりです。そのような高いレベルの顧客から依頼される難易度の高い開発案件の遂行を通して、自らの技術を高めていけることが当社で仕事をすることの魅力の1つです。

当社は、技術力でお客様から定評があります。

お客様の声
WTIが選ばれる理由No.1は「技術力」

近年はEV関連のパワエレ開発業務を始めとして、業界トップレベルのお客様から最先端の開発案件をご注文いただいています。レベルの高い業務を遂行し、お客様からの高い評価を頂戴しながら、仕事ができる喜びを一緒に味わいましょう。

対象者

募集職種の経験者が望ましい
※ 未経験者、経験の浅い方には、社内の技術教育センターで
充実した教育プログラムを実施するなど、丁寧に指導します。

詳しい募集要項はこちらから ⇒ 中途採用募集要項(求人要項)

 

CONTACT

お気軽にお問い合わせください。

ご相談・お問い合わせ 資料請求
お電話でのお問い合わせ
072-758-2938
受付時間:平日 09:00~18:00