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みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。今回はAQG-324規格のAnnex SiCで規格化されているQL-10 DRB試験（Dynamic Reverse Bias）についてお話ししようと思います。
※AQG-324規格とは、欧州の組織ECPEのワーキンググループによって車載向けパワーモジュール評価に関して策定された規格です。SiCデバイスはSiデバイスと比較して高速でスイッチングが可能なため、より動的なストレスが印加されることになります。そのため、SiCデバイスを高速にオンオフさせ、高dV/dtを印加してパッケージ等を含むデバイス終端構造周辺のdV/dtロバスト性やラッチアップ耐性等を調べる信頼性試験が行われます。それを規格化した試験がDRB試験になります。
DRB試験の試験条件を表1に示します。
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こんにちは。
カスタム技術課の井手です。2025年4月に車載向けパワーデバイス規格AQG-324の最新版が公開されました。今回は特にDGS試験を例に、最新版での変更点に関してお話しいたします。DGS試験は、パワー半導体のSiC MOSFETを対象とした信頼性試験です。SiC MOSFETは、その電力変換効率の高さからエネルギー損失の低減が期待され、近年急速に市場を拡大しています。そのようなホットな製品の規格が4年ぶりに更新されたということで、パワーデバイスの知見を広めるべく、どのように変わったかを調査してみました。
なお、AQG-324は、欧州の組織により策定された車載向けパワーデバイスの規格です。WTIでは車載向け信頼性試験規格に準拠した試験について実施できる環境の構築を進めており、その中でDGS試験の環境構築など、AQG-324規格への対応に向けても取り組んでおります。
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自動計測システムや受託評価サービス向けの環境構築、社内向けのツール開発など様々な領域の技術を担当しています。
近年、自動車の電動化をはじめ、産業機器、太陽光発電システム、電源機器など、様々な分野でSiCパワーデバイスの採用が急速に広がっています。SiCパワーデバイスは高速スイッチングや高温動作が可能で、低損失・高効率な電力変換を実現できるという大きな利点を持っています。一方で、従来のSiデバイスと比較して、ゲート酸化膜界面の品質に課題があり、熱的/電気的なストレスによって特性(主にゲートの閾値電圧VGSth)が変動することが知られています。弊社ではこのような課題に対する試験の一つとしてAC-BTI試験の受託サービス提供に向けた試験環境の構築をしております。
弊社環境では JEITA/JEDEC/ECPE の規格に準拠した試験の他に、高温環境での試験にも対応します。
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パワーデバイス設計課の中松です。今回はDGS試験についてお話しいたします。
DGSはDynamic Gate Stressの略で、AC-BTI(alternate current bias temperature instability)やGSI(gate switching instability)とも呼ばれます。SiC MOSFETではSiの場合と同様、正のゲートソース間電圧VGSを印加するPBTI(positive bias temperature instability)や、負のVGSを印加するNBTI(negative bias temperature instability)で閾値電圧のシフトが見られています。
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PWM（pulse-width modulation）とは、パルス変調の一種で、文字通りパルスの幅を変化させることにより、変調を行う方式です。
変調とは、何らかの信号により、基本となる別の信号（「搬送波」）を変化させることを言います。
ラジオ放送なら、音声信号により搬送波を変化させて、電波として送り出すことになります。
余談ですが、変調がかかった信号から元の信号を取り出すことは、復調と呼ばれます。
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以前お話しさせていただきました”USBとコンプライアンステスト”では多くの問い合わせをいただきありがとうございます。このブログではUSBについてお話しさせていただきましたが弊社ではUSBだけでなくEthernetについてのコンプライアンステストも承っていますのでこちらも是非お問い合わせください。
(前回ブログ：WTIブログ『USBとコンプライアンステスト』)話は戻りまして今回のブログではノイズの種類と規格～EMCとは？～についてお話しさせていただきます。
みなさん、こんにちは。
こんにちは。カスタム技術課の川原です。
みなさん、こんにちは。
こんにちは、システム設計課の安田です。
みなさんこんにちは、WTI営業部 塩谷です。
みなさんこんにちは。第一技術部システム設計課の尾中です。
みなさん、こんにちはWTI構造設計課の木谷です。
こんにちは。通信機器設計課の日下部です。