みなさん、はじめまして。
パワーデバイス設計課の中松です。
私は主にパワーデバイス（パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品）の評価を行っています。
今回はパワーデバイスの短絡試験についてお話ししたいと思います。
（スイッチングによる短絡耐量試験サービスはこちら）
みなさん、こんにちは。第二技術部 パワーデバイス設計課の岡田です。
今回は、現在新大阪で開催中のパワーエレクトロニクス講座（以下、パワエレ講座）についてご紹介します。
講座の詳細とお申込みは、当社パワーエレクトロニクス講座のページをご参照ください。
まず初めに、パワエレ講座を開催することになった経緯をお話します。
続きを読む
集合講座では、会議室で講師が直接解説いたします。受講者の不明点や疑問点はその場で講師が丁寧に解説指導し、解決できることが集合形式の講座の特長の一つです。
ご希望の講座がございましたら、ぜひお申込みください。＜講座の特長＞
- 独自の講座プログラムにより、実践技術習得が可能
- 教育効果を最大化するために、社内教育ノウハウに基づく独自の教育メソッドを採用
- 実務の目的に応じた講座をラインナップ
「パワーエレクトロニクス講座」「電子回路の基礎講座PLUS」は、新卒者や非電気系技術者の方にも最適
「EMC基礎講座」は、電子機器の開発従事者には不可欠なEMCの概要が、実習とともに学べる- 不明点や疑問点は、その場で講師から解説と指導を受け解決
＜開催予定集合講座＞
集合講座名 日程・場所 概要 パワーエレクトロニクス講座 パワーデバイスの基礎講座 ①2024/4/10(水) 新大阪
②2024/4/26(金) 東京
③2024/5/8(水) 新大阪
④2024/6/6(木) 東京
⑤2024/6/12(水) 新大阪
⑥2024/7/3(水) 新大阪
⑦2024/8/7(水) 新大阪
⑧2024/8/23(金) 東京
⑨2024/9/4(水) 新大阪パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイント インバータの基礎講座 ①2024/4/11(木)〜12(金) 新大阪
②2024/5/9(木)〜10(金) 新大阪 続きを読む
WTIのパワーエレクトロニクス講座では、以下の2つの講座をご用意いたしました。現役のエンジニアが講師を行いますので、実践的なノウハウを身につけることができます。セットで受講すると、セット割が適用されますのでお得です。
WTI のパワーエレクトロニクス講座のメリットについてはこちら
(1)パワーデバイスの基礎講座 （1日）
パワーエレクトロニクス技術分野の実務を従事する上で必要なパワーデバイスの基本機能と動作原理が学べます。パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイントをわかりやすくご説明いたします。
(2)インバータの基礎講座(座学＋実験) （２日）
パワーエレクトロニクス分野の中核技術であるインバータの基礎が学べます。本講座では全てハードウェアで構成した単相インバータ回路を題材に、主要回路ブロックごとに座学と実験をショートスパンで学習しながら理解を深めていただけます。インバータの制御は最終的にはハードウェアで制御されますので、主要回路ブロックごとに理解しておくことはより良いソフトウェア制御を行う上でも重要です。
各章の講座後に確認テストをご用意しており、確認テスト後に解答を解説いたします。そのため講座で学んだ内容を復習しながら理解できるプログラム構成となっております。
“インバータの基礎講座”では、インバータ実験回路を使ってブロックごとのインバータ動作が確認でき、より理解しやすい内容となっております。たった2日間の講座でインバータの原理と回路構成を習得することができま
す。
- パワーエレクトロニクス技術の基礎を学びたい方
- パワーデバイス（ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCデバイス）の基礎を学びたい方
- インバータの基礎を学びたい方
パワーデバイスの基礎講座
開催日時、場所
※新大阪会場
2024年 続きを読む
近年、自動車の電動化が進み、電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）のシェアも増えています。こうした自動車の進化に大きな役割を担っているのが車載用パワーデバイスやパワーモジュールです。
車載用パワーデバイスやパワーモジュールは、耐圧が高く、スイッチング速度が速く、電力損失が小さい特長を持ちます。
電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）の省エネ性を高めるために、半導体は従来のSi（シリコン）より高耐圧、低損失、高速スイッチング性に優れる、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ半導体が搭載されてきています。
また、次世代のパワーデバイス用ワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる、Ga2O3（酸化ガリウム）は、SiCよりもコストメリットや理論的な損失が小さいことから注目されています。
WTIでは、ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN, Ga2O3（酸化ガリウム））及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供しております。
特に、ワイドバンドギャップ半導体（SiC, GaN, Ga2O3（酸化ガリウム））は、Si半導体よりも高電圧、高速スイッチング動作が可能なためノイズの問題が顕在化しやすくなっています。このため、デバイスの材料物性や構造に基づく動作特性などを把握した上で正しい測定や波形の取得をすることが必要となります。
また、製品の開発設計手法として、現在、モデルベース開発のようなフロントローディング設計がトレンドとなりつつあり、パワーエレクトロニクスの世界も例外ではありません。
WTIでは、パートナー会社の株式会社モーデック社と連携したシミュレーションモデルの提供についてもご提案させていただいております。
シミュレーションモデルに必要なパワーモジュールの内部インダクタンス等、正しいスイッチング波形、及びパラメータの取得にはノウハウが必要です。
このように、パワーモジュールの特性を取得するにはノウハウが必要であり、国内でも対応できる企業は少ないのが現状です。
- お客様の開発評価に伴うパワーデバイス、パワーモジュール評価
- 特性評価から信頼性評価まで一貫したパワーデバイス、パワーモジュール評価
- シミュレーションモデル作成に伴うスイッチング波形及びパラメータ取得
等、パワーデバイス、パワーモジュール評価に関するニーズは増えつつあります。
WTIでは、パートナー会社との連携含め、各種パワーデバイス、パワーモジュールをキーワードに、お客様の課題に対して解決策をご提案いたします。
- 2000 V 1500 Aクラスまでの製品に対応
- カーブトレーサを用い、パワーデバイス（MOSFET, 続きを読む
みなさん、はじめまして。
パワー設計課の伊達です。
私は主にパワー半導体製品（パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品）の評価を行っています。
（パワーモジュール評価サービスはこちら）
今回は、パワー半導体のスイッチング評価を行う上での安全対策について少しお話しします。
続きを読む
みなさん、こんにちは。
電源設計課 電源設計ユニットの門野です。
電源設計課では、文字通りスイッチング電源の設計業務を主に行っていますが、必要とされる電力が大きくなってくるにつれ、複雑な制御が必要となります。
（WTIの電源設計サービスはこちらをご参照ください）
みなさん、こんにちは。
電源設計課 電源設計ユニットの平田です。
初登場で何を書こうかと悩みましたが、やはり自課（電源設計課）に関連する内容を、ご紹介いたします。
以前、『太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～』とのタイトルで、
続きを読む
