「パワー半導体」の検索結果

みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。

今回はDGS試験についてお話しいたします。
DGSはDynamic Gate Stressの略で、AC-BTI(alternate current bias temperature instability)やGSI(gate switching instability)とも呼ばれます。SiC MOSFETではSiの場合と同様、正のゲートソース間電圧VGSを印加するPBTI(positive bias temperature instability)や、負のVGSを印加するNBTI(negative bias temperature instability)で閾値電圧のシフトが見られています。

みなさんこんにちは
パワーデバイス設計課の伊達です。

前回のブログ「パワー半導体」スイッチング評価の電流測定では、電流測定に使用するカレントトランスとロゴスキーコイルの特徴についてお話ししました。

今回は、ロゴスキーコイルを使用した場合のスイッチング評価についてお話します。

みなさんこんにちは。営業の舟津です。
今回は、パワー半導体の熱抵抗についてお話をしたいと思います。

大電力を制御するためのMOSFETやIGBTなど、パワー半導体素子を使った回路では、その素子に加わる高電流・高電圧によって電力損失が生じ、高温で動作しますので、素子自体が定格温度内になっているかを確認する必要があります。

こんにちは。電源設計課の久保です。ブログを書き始めてから、地道に電源に関わる勉強を続けております。前回までは、制御理論に関する勉強をしていましたが、近頃はパワー半導体デバイスに関する勉強を始めました。

パワー半導体デバイスは、パワーエレクトロニクスでは非常に重要な部品の一つです。今回は、そのパワー半導体デバイスに関する話をしたいと思います。

電源設計課の道津です。当社ブログをご覧くださり誠にありがとうございます。

今回のブログでは、パワエレ用スイッチングデバイスとしてのGaN-FETについて、少しお話しさせていただきます。

【関連リンク】

• カスタム電源設計サービス紹介ページ
• 電源（パワエレ）・ワイヤレス給電（WPT）紹介ページ
• EOL対応（生産中止・ディスコン）

みなさんこんにちは。
第二技術部の中松です。

パワー半導体（パワーデバイスやパワーモジュール）の信頼性試験について少しお話をしたいと思います。

パワー半導体の信頼性試験には、
　環境試験としては、温度サイクル試験などが、
　耐久試験としては、パワーサイクル試験、高温ゲートバイアス試験、高温逆バイアス試験など
があります。

みなさんこんにちは。
第二技術部の中松です。

今回は、パワー半導体（パワーデバイス単体やパワーモジュール）のスイッチング評価における電流測定について少しお話をしたいと思います。

パワー半導体のスイッチング評価に関するこれまでのブログは下記をご参照ください。

「パワー半導体」のスイッチング評価は難しい？　～その１～
「パワー半導体」のスイッチング評価は難しい？　～その２～

みなさんこんにちは。
第二技術部の張です。

前回のブログでは、パワー半導体のスイッチング評価において、測定環境が重要であることをお話ししました。今回も前回に引き続き測定環境に関する話をさせていただきます。

パワー半導体のスイッチング評価を行う測定環境を改善するために配線を見直すことがありますが、実は測定系の回路インダクタンスの大きさが定量的にわからないと改善は難しいのです。

ということで、今回は回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法についてお話しします。

みなさんこんにちは。
第二技術部の張です。

今回は、パワーデバイス、パワーモジュールなどのパワー半導体のスイッチング評価についてお話します。

パワー半導体のスイッチング評価は何のために行うのでしょうか？

株式会社Wave Technology（WTI）の社長　石川高英です。

パワー半導体とは、電力の制御を行う素子のことを言います。

具体的には、交流を直流にしたり、直流を交流に変換したり、周波数を変えたり、電圧を変えたりなど、特に高い電圧や大きな電流を制御する用途にパワー半導体が使用されます。

パワー半導体で制御された電圧・電流は、モーター駆動、バッテリー充電、半導体駆動などに利用されます。