#024　電源　～パワエレ設計（MOSFETの選定）～

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の選定については、以下を考慮する必要があります。 IGBT同様に、電圧駆動型の素子です。 IBGTよりも高速でON/OFFでき、ON電圧が抵抗特性であるため、DCDCコンバータなどの低圧の電源によく使用されています。 また、ON電圧が抵抗特性を持っているため、電流が小さいときのオン損失は、IBGTよりも小さくできます。 ただし、デバイスの構造的に内蔵される還流ダイオードのリカバリ特性が悪く、ON抵抗とのトレードオフの関係もありますが、リカバリモードがあるような用途に使用すると、損失が特に大きくなってしまいます。 ■特徴

• 耐圧は、1000V程度
• ON抵抗が使用電流により変化
• スイッチング周波数は、数十kHz以上
• デバイス構造的に内蔵される還流ダイオードのリカバリ特性が悪い

※DCDCコンバータなどの低圧電源によく使用されます。 ただし、近年SiC(シリコンカーバイド)というシリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料を使用したFETが開発されており、「高耐圧」、「低オン抵抗」、「高速」の3 者を同時に実現できるSiC-MOSFETが主流になりつつあります。 しかし、コストや供給面ではまだまだ課題があり、仕様を考慮した上で選定する必要があります。