みなさん、こんにちは。
第二技術部電源設計課の富永です。
今回が、2回目の登場になります。
前回のブログ『SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました』では、SiCのダイオードについてお話しさせていただきましたので、今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。
(当社の「パワーモジュール」評価サービスはこちら/カスタム電源設計サービスはこちら)
みなさん、こんにちは。
第二技術部電源設計課の富永です。
今回が、2回目の登場になります。
前回のブログ『SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました』では、SiCのダイオードについてお話しさせていただきましたので、今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。
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こんにちは、パワーデバイス設計課の中本です。
よろしくお願いします。
2021年の3月11日で東日本大震災からちょうど10年の節目を迎えますが、2月13日に大きな地震が同様の場所で発生しました。専門家のインタビューで東日本大震災の余震であるとのコメントを聞きました。防災セットやポータブル電源を備えていた方、お風呂の水を貯めた方、その他10年前の教訓を生かして行動された方も多くいたようで、被災地の方の危機管理意識の高さに感心しました。
さて本題です。前回のブログではパワー半導体の評価に使用するオシロスコープの基礎知識について書かせていただきました。今回はパワエレ分野で使うシャント抵抗について書こうと思います。
みなさんこんにちは。
第二技術部の張です。
前回のブログでは、パワー半導体のスイッチング評価において、測定環境が重要であることをお話ししました。今回も前回に引き続き測定環境に関する話をさせていただきます。
パワー半導体のスイッチング評価を行う測定環境を改善するために配線を見直すことがありますが、実は測定系の回路インダクタンスの大きさが定量的にわからないと改善は難しいのです。
ということで、今回は回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法についてお話しします。
みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。
前回のブログでお話ししたパワーMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きです。
前回、アバランシェエネルギーが同じであっても、試験条件が異なればMOSFETのジャンクション温度Tjは異なるため、単純に比較できないことをご説明しました。では、前回と同じデバイスで、L負荷の値L=3 µH、アバランシェ電流IAS=50 Aの場合(ケース③)を考えてみましょう。