みなさんはじめまして。
こんにちは。構造設計課 竹森です。
前回ブログ「CAE解析における熱応力の考え方」では、CAE解析で熱応力を計算する際のシミュレーションモデルの初期条件についてお話ししました。今回は、CAE解析（振動解析）の活用についてお話しします。
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みなさん、こんにちは。テクノシェルパ推進室の赤谷です。
久しぶりのブログ投稿となりますが、どうぞよろしくお願いいたします。
今回はハードウェア設計の基本中の基本であるプルアップ（pullup）、プルダウン(pulldown)抵抗処理について、あえてお話しさせていただきます。
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少々長くなりますが初心者からベテランまで必見の内容となっておりますので是非最後までご覧ください。
こんにちは。カスタム技術課の傳田（でんだ）です。
今回は、弊社（WTI）のサービスの一つである「リバースエンジニアリングPlus」について、実務担当としての視点から、その効果やおもしろさをお話しします。
ぜひ参考にしていただけたらと思います。
電源設計課の道津です。当社ブログをご覧くださり誠にありがとうございます。
今回のブログでは、パワエレ用スイッチングデバイスとしてのGaN-FETについて、少しお話しさせていただきます。
【関連リンク】
皆さん、こんにちは。システム設計課の岡田です。
これまでのブログでは、高周波アンプの設計に関して色々と紹介してきました。
高周波アンプについて紹介したいことはまだまだあるのですが、今回は周波数逓倍器の設計についてお話しさせていただきます。
みなさんこんにちは。
みなさんこんにちは。WTIの森です。
本日は、当社オリジナルの測定器『導通抵抗モニタリングシステム』のご紹介をさせていただきます。
（１）導通抵抗モニタリングシステムとは
『導通抵抗モニタリングシステム』は、半導体パッケージやコネクタなどの電子部品や電子部品の材料の導通信頼性を、リアルタイムかつ自動でモニタリングすることができます。
みなさんこんにちは。技術教育センターの前川繁登です。
当センターは新入社員の技術研修も担当していまして、本年度も６名の新入社員が入社し、４月は元気に集合研修を受けました。今回はその研修の様子をご紹介したいと思います。
(WTIの新卒採用ページはこちら)
このブログでは、当社メインキャラクターの「なみりん」（当社へ入社志望の女の子）と、イッくんとのインタビュー形式でお送りします。（イッくんは筆者のニックネームです（イクセイ））
5月8日の日経クロステック『気になるアレの「中身」に迫る！クロステック調査部』に、当社が調査を担当したGaNパワー半導体を搭載したUSB充電器の記事が、掲載されました。
今回の記事掲載にあたり、当社は、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を搭載した4台のUSB充電器（いずれも海外メーカー製）の内部構造の調査と充電器の性能評価を担当させていただきました。