みなさん、こんにちは。高周波機器設計課の野澤です。
今回は、WTIの社内向けの教育講座について、ご紹介します。
WTIには、技術教育センターという社員教育に特化した部署があります。
こちらには、アナログ、デジタル、組込みソフトなど基礎的なものから、実務に直結する実用的な講座まで数多くの講座が用意されています。
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みなさんこんにちは。テクノシェルパ営業担当の奥田です。
みなさん、こんにちは。WTI構造設計課の井清です。
過去のブログで「防水製品の開発で押さえておきたいポイント」をご紹介しましたが、防水設計をする上で多くの方が筐体用パッキン部分ばかりを注視しがちです。
実はメインの防水箇所よりネジ部の方が、より注意を要する箇所になります。ネジ部は複数箇所に設けるため、設計に際してはバラツキなどを考慮したシビアな検討が必要になります。
そこで、今回は防水設計におけるネジ構造やその検討で注意すべき点などについて、日頃からお問合せをいただいているサービスの中からご質問が多い内容についてお話ししたいと思います。
みなさんこんにちは。WTI 第二技術部 部長の矢野です。ライブ配信講座 パワーデバイスの基礎
講座概要
ライブ配信講座「パワーデバイスの基礎」をご用意いたしました。
パワーエレクトロニクス技術分野の実務に従事する上で必要なパワーデバイスの基本機能と動作原理が学べます。
パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイントをわかりやすくご説明いたします。
受講対象
- パワーエレクトロニクス技術の基礎を学びたい方
- パワーデバイス（ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCデバイス）の基礎を学びたい方
WTIのパワーデバイスの基礎講座のメリット
＜メリット1＞
講座内で復習でき、理解が深まります
WTIのパワーデバイスの基礎講座では、ポイントとなる箇所ごとの演習問題と単元ごとの確認テストをご用意しており、その場で解答を解説いたします。
講座で学んだ内容をその場で復習いただけますので、理解が深まります。
＜メリット2＞
データシートのポイントが理解できる
パワーエレクトロニクス回路を設計するに際して、キーデバイスであるパワーデバイスを選定するにはデータシートから性能や特性を読み解く必要があります。
本講座ではパワーデバイスのデータシートの内容を解説し、主要特性項目の意味をわかりやすく説明いたします。
＜メリット３＞
パワーデバイスの構造・動作が理解できる
パワーデバイスの高耐圧のしくみ、縦構造、動作原理をわかりやすく解説いたします。
文献を読んで理解しにくい方にとっても、パワーデバイスの構造と動作が理解できる内容となっております。
講座内容
2026年 4月 6日（月） 10：00～17：00
2026年 5月 11日（月） 10：00～17：00
2026年 6月 1日（月） 10：00～17：00
2026年 7月 6日（月） 10：00～17：00
2026年 8月 3日（月） 10：00～17：00
2026年 9月 7日（月） 10：00～17：00
受講料（税抜）
￥50,000
定員
20名
プログラム
1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
2.1 ダイオードの種類
2.2 ダイオードの構造と特性
(1)PN/PINダイオード
(2)ショットキーバリアダイオード
＜確認テスト＞
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
(1)プレーナゲート型MOSFET
(2)トレンチゲート型MOSFET
(3)IGBT
＜確認テスト＞
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
4.1 パワーMOSFETの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)駆動回路
4.2 IGBTの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
＜確認テスト＞
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
(1)SiCの物性
(2)SiCショットキーバリアダイオード
(3)SiC MOSFET
＜確認テスト＞
講座お申込み
受講ご希望の方は、「お申込み」ボタンを押し、「お問い合わせ項目」の「技術講座・オンライン講座」を選択後、「お問い合わせ内容」に「ご希望の講座名」と、必要事項（お名前、会社名、連絡先等）をご記入の上、お申込みください。
法人のお客様限定といたします。
【関連リンク】
パワーモジュール評価サービス
電源（パワエレ）
カーブトレーサ自動測定システム
パワーサイクル試験
技術者教育サービスWTIブログもご覧ください
パワー半導体の評価は安全が第一
SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました
電源設計技術者が見つからない時代 だから自社で育成する！
パワーエレクトロニクスって、どういうもの？
いまさらなんですが、SiCって何がいいのでしょうか？
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。
ライブ配信講座
WTIではセミナー会場に足を運ばず、ご自宅や会社で受講できるライブ配信講座を開始しました。ライブ配信講座には、受講場所を選ばず、かつ直接受講と同じリアルタイムな受講が可能というメリットがありますので、直接受講が希望だが講座会場が遠くて実現できなかった方や、受講のための出張や移動自体が難しいという方は、スキルアップにぜひWTIのライブ配信講座をご活用ください。
講座ラインナップ
 |
ご利用方法
- 各講座からお申込みください。
- お申込み後、WTIから振込先をご連絡します。
- ライブ配信講座はZoomを使用します。ご入金確認後、招待URLをお送りします。
- ご入金後にキャンセルされた場合の返金には対応いたしかねますので、あらかじめご了承ください。
- 開催日時になりましたら、招待URLから参加願います。
- 講座テキストは事前に送付します。
Zoom推奨環境について
- PCで参加願います。
- 有線または無線ブロードバンド回線、カメラ、マイクが必要です。（PC内蔵のもので構いません。）
- 参加するだけであれば、アカウント登録は不要です。
- 受講用パソコンの動作環境については 、 Zoomの最新のシステム要件をご確認ください。
https://support.zoom.us/hc/ja/articles/201362023- ご利用の環境での視聴確認については、Zoomのテストサイトでご確認できます。
https://support.zoom.us/hc/ja/articles/115002262083
お申込みの流れ
お申込みの流れは以下のようになります。
講座お申込み
受講ご希望の方は、「お申込み」ボタンを押し、「お問い合わせ項目」の「技術講座・オンライン講座」を選択後、「お問い合わせ内容」に「ご希望の講座名」と、必要事項（お名前、会社名、連絡先等）をご記入の上、お申込みください。
法人のお客様限定といたします。
会議室で講師が直接指導する 講座の動画をお好きな時間に学べる
【関連リンク】
パワーモジュール評価サービス
電源（パワエレ）
カーブトレーサ自動測定システム
パワーサイクル試験
技術者教育サービスWTIブログもご覧ください
パワー半導体の評価は安全が第一
SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました
電源設計技術者が見つからない時代 だから自社で育成する！
パワーエレクトロニクスって、どういうもの？
いまさらなんですが、SiCって何がいいのでしょうか？
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。
みなさんこんにちは。システム設計課の米谷です。
みなさんこんにちは。技術教育センター長の前川（まえがわ）です。
4月に当社にも新入社員が8名入社してきまして、4月の集合研修を経て、現在は職場でのOJTと講座のOFF-JTに目を輝かせて取り組んでいます。今回はその4月の研修時に、新人と一緒に考えた技術者像について少しご紹介します。
みなさん、はじめまして。オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎
講座概要
オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎講座をご用意いたしました。
パワーエレクトロニクス技術分野の実務に従事する上で必要なパワーデバイスの基本機能と動作原理が学べます。
パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイントをわかりやすくご説明いたします。
また、お客様のご要望に応じて受講コースを選択できるよう全単元の講座以外に、テーマ別に受講できるテーマ別講座や単元別講座もご用意しました。
| 単元 | 全単元講座 | テーマ別講座 | 単元別講座 | ||||
| 半導体の動作原理 | MOSFETとIGBT | ダイオード | MOSFETとIGBTの基本機能 | MOSFETとIGBTの諸特性 | SiCデバイス | ||
| 1.パワーデバイスの概要 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 |
| 2.ダイオード | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| 3.MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | |||
| 4.パワーMOSFETとIGBTの諸特性 | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| 5.SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点 | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
受講対象
- パワーエレクトロニクス技術の基礎を学びたい方
- パワーデバイス（ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCデバイス）の基礎を学びたい方
WTIのパワーデバイスの基礎講座のメリット
＜メリット1＞
講座内で復習でき、理解が深まります
WTIのパワーデバイスの基礎講座では、ポイントとなる箇所ごとの演習問題と単元ごとの確認テストをご用意しており、その場で解答を解説いたします。
講座で学んだ内容をその場で復習いただけますので、理解が深まります。
＜メリット2＞
データシートのポイントが理解できる
パワーエレクトロニクス回路を設計するに際して、キーデバイスであるパワーデバイスを選定するにはデータシートから性能や特性を読み解く必要があります。
本講座ではパワーデバイスのデータシートの内容を解説し、主要特性項目の意味をわかりやすく説明いたします。
（対象単元：4.パワーMOSFETとIGBTの諸特性）
＜メリット３＞
パワーデバイスの構造・動作が理解できる
パワーデバイスの高耐圧のしくみ、縦構造、動作原理をわかりやすく解説いたします。
文献を読んで理解しにくい方にとっても、パワーデバイスの構造と動作が理解できる内容となっております。
（対象単元：3.MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理）
各コースのご案内
パワーデバイスの基礎 全単元講座
講座概要
パワーデバイスの動作原理から諸特性・データシートの読み方が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に30日間です
受講料（税抜）
７0,000 円
プログラム
1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
2.1 ダイオードの種類
2.2 ダイオードの構造と特性
(1)PN/PINダイオード
(2)ショットキーバリアダイオード
＜確認テスト＞
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
(1)プレーナゲート型MOSFET
(2)トレンチゲート型MOSFET
(3)IGBT
＜確認テスト＞
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
4.1 パワーMOSFETの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)駆動回路
4.2 IGBTの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
＜確認テスト＞
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
(1)SiCの物性
(2)SiCショットキーバリアダイオード
(3)SiC MOSFET
＜確認テスト＞
パワーデバイスの基礎 テーマ別講座 半導体の動作原理
講座概要
ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCと半導体の基本機能と動作原理が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に14日間です。
受講料（税抜）
50,400 円プログラム
1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
2.1 ダイオードの種類
2.2 ダイオードの構造と特性
(1)PN/PINダイオード
(2)ショットキーバリアダイオード
＜確認テスト＞
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
(1)プレーナゲート型MOSFET
(2)トレンチゲート型MOSFET
(3)IGBT
＜確認テスト＞
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
(1)SiCの物性
(2)SiCショットキーバリアダイオード
(3)SiC MOSFET
＜確認テスト＞
パワーデバイスの基礎 テーマ別講座 MOSFETとIGBT
講座概要
MOSFETとIGBTの基本機能と動作原理、諸特性とデータシートの読み方が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に14日間です。
受講料（税抜）
50,400 円プログラム
1. パワーデバイスの概要
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
(1)プレーナゲート型MOSFET
(2)トレンチゲート型MOSFET
(3)IGBT
＜確認テスト＞
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
4.1 パワーMOSFETの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)駆動回路
4.2 IGBTの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
＜確認テスト＞
パワーデバイスの基礎 単元別講座 ダイオード
講座概要
ダイオードの構造と特性が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
受講料（税抜）21,000 円
プログラム
1. パワーデバイスの概要
2. ダイオード
2.1 ダイオードの種類
2.2 ダイオードの構造と特性
(1)PN/PINダイオード
(2)ショットキーバリアダイオード
＜確認テスト＞
パワーデバイスの基礎 単元別講座 MOSFETとIGBTの基本機能
講座概要
MOSFETとIGBTの動作原理が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
受講料（税抜）
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
21,000 円プログラム
1. パワーデバイスの概要
3. MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
3.1 低耐圧型MOSFETの動作原理
3.2 高耐圧型パワーデバイスの動作原理
(1)プレーナゲート型MOSFET
(2)トレンチゲート型MOSFET
(3)IGBT
＜確認テスト＞
パワーデバイスの基礎 単元別講座 MOSFETとIGBTの諸特性
講座概要
MOSFETとIGBTの諸特性・データシートの読み方が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
受講料（税抜）
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
42,000 円プログラム
1. パワーデバイスの概要
4. パワーMOSFETとIGBTの諸特性
4.1 パワーMOSFETの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)駆動回路
4.2 IGBTの諸特性
(1)データシート主要項目
(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
＜確認テスト＞
パワーデバイスの基礎 単元別講座 SiCデバイス
講座概要
SiCデバイスの動作原理が学べます。
講座受講可能期間
お申込み後、IDをご連絡します。
受講料（税抜）
- ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
- 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。
21,000 円プログラム
1. パワーデバイスの概要
5. SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
(1)SiCの物性
(2)SiCショットキーバリアダイオード
(3)SiC MOSFET
＜確認テスト＞
【関連リンク】
パワーモジュール評価サービス
電源（パワエレ）
カーブトレーサ自動測定システム
パワーサイクル試験
技術者教育サービス
WTIブログもご覧ください
パワー半導体の評価は安全が第一
SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました
電源設計技術者が見つからない時代 だから自社で育成する！
パワーエレクトロニクスって、どういうもの？
いまさらなんですが、SiCって何がいいのでしょうか？
WTIの技術、設備、設計/開発会社の使い方、採用関連など、幅広い内容を動画で解説しています。