Wave Technology(WTI) | 半導体周辺回路とその応用製品の開発・設計会社

WTIは技術者不足を解決する「開発設計促進業」です

電源用チョークコイルについて

みなさん、こんにちは。
第二技術部電源設計課の富永です。

以前にダイオードとFETについて、お話しさせて頂きましたので、今回は電源用チョークコイルについて、お話ししたいと思います。

ダイオードとFETは、各メーカの汎用品を選定しますが、電力が大きい電源で使用するチョークコイルは、汎用品が少なく、カスタム品を採用することが多いです。カスタム品は、自由に仕様を定めることができるのですが、それが故にどのようにして仕様を決めればよいのか判らない方も居られるかと思います。

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パワー半導体デバイスの特性

こんにちは。電源設計課の久保です。ブログを書き始めてから、地道に電源に関わる勉強を続けております。前回までは、制御理論に関する勉強をしていましたが、近頃はパワー半導体デバイスに関する勉強を始めました。

パワー半導体デバイスは、パワーエレクトロニクスでは非常に重要な部品の一つです。今回は、そのパワー半導体デバイスに関する話をしたいと思います。

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Edge Tech+ West2023 ハードウェアセキュリティセッションの感想

みなさん、こんにちは。営業部の藤岡です。

7月27日~28日に開催されましたEdge Tech+ West2023において、7月27日開講のテクニカルセッションを受講させていただきましたので、そのセッションの所感と解説を本ブログで紹介させていただきます。

セッション名:ハードウェアセキュリティ ~セキュアICチップの実装攻撃と対策~
講演者:神戸大学 永田教授

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高周波回路の設計と試作 ~シミュレーションと実際~

みなさんはじめまして。
第一技術部 システム設計課の湯川です。

私は今年の4月に入社した新入社員です。現在、主に高周波関係の業務を担当しています。(ちなみに、私は大学でも高周波に関する研究をしていましたので、今の配属先を希望しました)

今回は、私が行った研修の一つである「高周波回路の設計・試作」についてお話しさせていただきます。

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プルアップ、プルダウン抵抗処理 なぜ漏れる?

みなさん、こんにちは。テクノシェルパ推進室の赤谷です。

久しぶりのブログ投稿となりますが、どうぞよろしくお願いいたします。

今回はハードウェア設計の基本中の基本であるプルアップ(pullup)、プルダウン(pulldown)抵抗処理について、あえてお話しさせていただきます。

(当社の電気設計受託サービスはコチラ

少々長くなりますが初心者からベテランまで必見の内容となっておりますので是非最後までご覧ください。

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USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート

USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート

New!USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート

★日経クロステックに本レポートの一部が連載されました!↓↓↓
 [2023.05.08号] 65W級GaN搭載USB充電器をガチ評価、総合1位は意外なメーカー
 [2023.05.10号] 65W級GaN USB充電器を4機種分解、各社各様の内部構造
 [2023.05.12号] 65W級GaN USB充電器の回路を分析、4製品の輻射ノイズも計測

USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート
USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート
USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート
USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート

近年ではUSB充電器のスイッチングデバイスに窒化ガリウム(GaN)が採用されることが増えている。GaNパワー半導体はSi半導体と比べスイッチングロスが少なく、効率や発熱の面で有利とされている。また、デバイスサイズに関してもGaNのほうが小型化できることが知られている。 続きを読む

リバースエンジニアリングのここがすごい!

こんにちは。カスタム技術課の傳田(でんだ)です。

今回は、弊社(WTI)のサービスの一つである「リバースエンジニアリングPlus」について、実務担当としての視点から、その効果やおもしろさをお話しします。

ぜひ参考にしていただけたらと思います。

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パワエレ用スイッチングデバイスとしてのGaNパワー半導体(GaN-FET)の現状

電源設計課の道津です。当社ブログをご覧くださり誠にありがとうございます。

今回のブログでは、パワエレ用スイッチングデバイスとしてのGaN-FETについて、少しお話しさせていただきます。

【関連リンク】

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レポートサンプル ダウンロード

レポートサンプル ダウンロード

ダウンロード対象サンプル名: DJI Phantom4 BMU基板 分解調査レポート

    私は本レポートの全部又は一部を複製、転載、配付、貸与、引用等の二次利用をいたしません。

    ちょっとニッチだけど、とても便利! 導通抵抗モニタリングシステム~設計評価や信頼性評価の効率化・省力化にご活用いただいています!~

    みなさんこんにちは。WTIの森です。

    本日は、当社オリジナルの測定器『導通抵抗モニタリングシステム』のご紹介をさせていただきます。

     

    (1)導通抵抗モニタリングシステムとは

    『導通抵抗モニタリングシステム』は、半導体パッケージやコネクタなどの電子部品や電子部品の材料の導通信頼性を、リアルタイムかつ自動でモニタリングすることができます。

    続きを読む

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