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みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。今回はDGS試験についてお話しいたします。
DGSはDynamic Gate Stressの略で、AC-BTI(alternate current bias temperature instability)やGSI(gate switching instability)とも呼ばれます。SiC MOSFETではSiの場合と同様、正のゲートソース間電圧VGSを印加するPBTI(positive bias temperature instability)や、負のVGSを印加するNBTI(negative bias temperature instability)で閾値電圧のシフトが見られています。
みなさん、こんにちは。
こんにちは、システム設計課の安田です。
みなさんこんにちは。電源設計課の植村です。
こんにちは。通信機器設計課の加藤です。
みなさんこんにちは、WTI営業部 塩谷です。
みなさんこんにちは。技術教育センターの前川です。
みなさんこんにちは。第一技術部システム設計課の尾中です。
みなさん、こんにちは。
こんにちは。電源設計課の久保です。