みなさん、はじめまして。入社一年目、第一技術部構造設計課の田中です。
私は大学で理学部物理学科に所属しており、機構設計に関する知識は全く持ち合わせておりませんでした。そんな私がWTIに入社し、この半年間で感じたことや学んだことを今回のブログで述べさせていただきます。
まず一番に感じたことは、本当に教育に関して力を入れている、ということでした。
みなさん はじめまして、光デバイス設計課の大西です。
光デバイス設計課では主に光素子の開発や評価、機構設計などを行っています。
今回は、光デバイスに関する計測装置の自動制御についてご紹介したいと思います。
光デバイスの機能確認としては、光出力、受光感度、周波数特性などの複数の特性を測定・評価します。そして、これらの特性を評価するにはDC電源や温度コントローラ―、光コンポーネントアラナイザなど多数の計測装置を使用します。サンプル数が2,3個であれば手動による測定でもいいのですが、製品の特性バラツキ確認や特性を改善するとなると多数のサンプルの測定が必要になります。こうなるとかなりの時間を要しますので手動測定ではなく自動測定の出番となります。
みなさん、こんにちは。
株式会社 Wave Technology 第一技術部の大塚です。
最近、お問い合わせがありました、IoT機器向けLPWA(Low Power Wide Area)方式の通信規格である、『 LTE-M 』と『 NB-IoT 』の違いについてお話ししたいと思います。
みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。
前回のブログでお話ししたパワーMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きです。
前回、アバランシェエネルギーが同じであっても、試験条件が異なればMOSFETのジャンクション温度Tjは異なるため、単純に比較できないことをご説明しました。では、前回と同じデバイスで、L負荷の値L=3 µH、アバランシェ電流IAS=50 Aの場合(ケース③)を考えてみましょう。