パワーデバイスの短絡試験について
2020年05月12日
みなさん、はじめまして。
パワーデバイス設計課の中松です。
私は主にパワーデバイス(パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品)の評価を行っています。
今回はパワーデバイスの短絡試験についてお話ししたいと思います。
(スイッチングによる短絡耐量試験サービスはこちら)
みなさん、はじめまして。
パワーデバイス設計課の中松です。
私は主にパワーデバイス(パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品)の評価を行っています。
今回はパワーデバイスの短絡試験についてお話ししたいと思います。
(スイッチングによる短絡耐量試験サービスはこちら)
みなさん、こんにちは。第二技術部 パワーデバイス設計課の岡田です。
今回は、現在新大阪で開催中のパワーエレクトロニクス講座(以下、パワエレ講座)についてご紹介します。
講座の詳細とお申込みは、当社パワーエレクトロニクス講座のページをご参照ください。
まず初めに、パワエレ講座を開催することになった経緯をお話します。
こんにちは。初めまして。Wave Technology(WTI)の田川です。
今春新たに電源設計課の所属となりました。
電源設計課のNew Faceとはいえ、弊社WTI入社以来”電源“と呼ばれる製品の開発設計にも携わってきました。
(WTIの電源設計サービスはこちらをご参照ください)
こんにちは、パワーデバイス設計課パワー設計第二ユニットの中本です。
今回が初登場になります。よろしくお願いします。
当社では様々な技術サービスを提供させていただいております。私が携わる分野においては、パワー半導体の評価サービスが好評をいただいており、中でも特にお問い合わせが多い内容はスイッチング特性の評価サービスです。スイッチング特性評価の概要については当社ホームページの「パワーモジュール評価」サービスのページに詳細を載せていますので、ご参照ください。
電源課の真野です。当課は近年、車関係の業務が増えてきており、私もV2Hという電気自動車の充放電システムに関わっています。
(WTIの電源設計サービスはこちらをご参照ください)
今回はこのV2Hについて紹介させていただきます。
はじめまして。電源設計課の富永です。
私は、パワーコンディショナ(PCS)の開発に携わっており、SiCパワー半導体を使用する機会がありましたので、少し紹介します。
(WTIの電源設計サービスはこちらをご参照ください)
電子回路設計 ヒントPLUS☆ パワエレ設計(ダイオードの選定)で記載しているように、半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリアダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで使用できるようになりました。SiCにすると性能は良くなるのですが、これまではコスト面の課題でなかなか使用するまでには至りませんでした。