こんにちは、パワーデバイス設計課パワー設計第二ユニットの山下です。
よろしくお願いします。
コロナ禍の中、皆さんはどう過ごされていますか?私は少しの時間を読書に割きました。
読んだ本は小学館集英社プロダクションから出版されている、トニー・ブザン著『マインドマップ 最強の教科書』です。
みなさんこんにちは。
営業の塩谷です。
今回は、「パワーデバイスの基礎講座」のご紹介をさせていただきます。
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講座の紹介の前に、「パワーデバイスとは?」どういうデバイスかわかりますでしょうか?「聞いたことはあるけどよくわからない」、「聞いたこともない」という方もおられると思いますので簡単に説明します。
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こんにちは、パワーデバイス設計課の中本です。
よろしくお願いします。
2021年の3月11日で東日本大震災からちょうど10年の節目を迎えますが、2月13日に大きな地震が同様の場所で発生しました。専門家のインタビューで東日本大震災の余震であるとのコメントを聞きました。防災セットやポータブル電源を備えていた方、お風呂の水を貯めた方、その他10年前の教訓を生かして行動された方も多くいたようで、被災地の方の危機管理意識の高さに感心しました。
さて本題です。前回のブログではパワー半導体の評価に使用するオシロスコープの基礎知識について書かせていただきました。今回はパワエレ分野で使うシャント抵抗について書こうと思います。
みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。
前回のブログでお話ししたパワーMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きです。
前回、アバランシェエネルギーが同じであっても、試験条件が異なればMOSFETのジャンクション温度Tjは異なるため、単純に比較できないことをご説明しました。では、前回と同じデバイスで、L負荷の値L=3 µH、アバランシェ電流IAS=50 Aの場合(ケース③)を考えてみましょう。