学生の頃よりも真面目に勉強しているのではないか、と勘ぐってしまうほどパワーエレクトロニクスの勉強中です。以前どこかで聞いた話によると、学生時代の勉強(受験勉強)は「わからないことを理解するためのプロセスを理解する」ために必要な経験だそうです。
勉強でもスポーツでも、何かしら困難に感じることを乗り換えてきた経験とは、非常に役に立ちます。現在勉強中のパワエレも、学生時代の経験がきっと役に立っているはずです。
今回は、パワエレの基礎である半導体デバイスについて、その内部のキャリアの動きを中心に解説していきます。
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みなさんこんにちは
パワーデバイス設計課の伊達です。
前回のブログ「パワー半導体」スイッチング評価の電流測定では、電流測定に使用するカレントトランスとロゴスキーコイルの特徴についてお話ししました。
今回は、ロゴスキーコイルを使用した場合のスイッチング評価についてお話します。
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みなさんこんにちは。営業の舟津です。
今回は、パワー半導体の熱抵抗についてお話をしたいと思います。
大電力を制御するためのMOSFETやIGBTなど、パワー半導体素子を使った回路では、その素子に加わる高電流・高電圧によって電力損失が生じ、高温で動作しますので、素子自体が定格温度内になっているかを確認する必要があります。
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みなさん、こんにちは。
第二技術部電源設計課の富永です。
以前にダイオードとFETについて、お話しさせて頂きましたので、今回は電源用チョークコイルについて、お話ししたいと思います。
ダイオードとFETは、各メーカの汎用品を選定しますが、電力が大きい電源で使用するチョークコイルは、汎用品が少なく、カスタム品を採用することが多いです。カスタム品は、自由に仕様を定めることができるのですが、それが故にどのようにして仕様を決めればよいのか判らない方も居られるかと思います。
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こんにちは。電源設計課の久保です。ブログを書き始めてから、地道に電源に関わる勉強を続けております。前回までは、制御理論に関する勉強をしていましたが、近頃はパワー半導体デバイスに関する勉強を始めました。
パワー半導体デバイスは、パワーエレクトロニクスでは非常に重要な部品の一つです。今回は、そのパワー半導体デバイスに関する話をしたいと思います。
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電源設計課の道津です。当社ブログをご覧くださり誠にありがとうございます。
今回のブログでは、パワエレ用スイッチングデバイスとしてのGaN-FETについて、少しお話しさせていただきます。
【関連リンク】
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みなさんこんにちは。
第二技術部の中松です。
パワー半導体（パワーデバイスやパワーモジュール）の信頼性試験について少しお話をしたいと思います。
パワー半導体の信頼性試験には、
環境試験としては、温度サイクル試験などが、
耐久試験としては、パワーサイクル試験、高温ゲートバイアス試験、高温逆バイアス試験など
があります。
5月8日の日経クロステック『気になるアレの「中身」に迫る！クロステック調査部』に、当社が調査を担当したGaNパワー半導体を搭載したUSB充電器の記事が、掲載されました。
今回の記事掲載にあたり、当社は、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を搭載した4台のUSB充電器（いずれも海外メーカー製）の内部構造の調査と充電器の性能評価を担当させていただきました。
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みなさんこんにちは。電源設計課の合田です。
みなさんこんにちは、電源設計課の藤田です。