みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。今回はDGS試験についてお話しいたします。
DGSはDynamic Gate Stressの略で、AC-BTI(alternate current bias temperature instability)やGSI(gate switching instability)とも呼ばれます。SiC MOSFETではSiの場合と同様、正のゲートソース間電圧VGSを印加するPBTI(positive bias temperature instability)や、負のVGSを印加するNBTI(negative bias temperature instability)で閾値電圧のシフトが見られています。
みなさんこんにちは。電源設計課の合田です。
前回はオペアンプのイレギュラーな使い方について、お話ししましたが、今回は「オペアンプは使い方によっては発振することがある」というお話しです。
オペアンプは増幅回路をはじめ、コンパレータやフィルタなど幅広い用途で使用されています。
みなさんこんにちは
パワーデバイス設計課の伊達です。
前回のブログ「パワー半導体」スイッチング評価の電流測定では、電流測定に使用するカレントトランスとロゴスキーコイルの特徴についてお話ししました。
今回は、ロゴスキーコイルを使用した場合のスイッチング評価についてお話します。
電源設計課の道津です。当社ブログをご覧くださり誠にありがとうございます。
今回のブログでは、パワエレ用スイッチングデバイスとしてのGaN-FETについて、少しお話しさせていただきます。
【関連リンク】
みなさん、こんにちは。
みなさんこんにちは。電源設計課の植村です。
みなさんこんにちは。技術教育センターの前川です。
みなさんこんにちは。営業の舟津です。
みなさん、こんにちは。
こんにちは。電源設計課の久保です。ブログを書き始めてから、地道に電源に関わる勉強を続けております。前回までは、制御理論に関する勉強をしていましたが、近頃はパワー半導体デバイスに関する勉強を始めました。