みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。
前回のブログでお話ししたパワーMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きです。
前回、アバランシェエネルギーが同じであっても、試験条件が異なればMOSFETのジャンクション温度Tjは異なるため、単純に比較できないことをご説明しました。では、前回と同じデバイスで、L負荷の値L=3 µH、アバランシェ電流IAS=50 Aの場合(ケース③)を考えてみましょう。
みなさん、こんにちは。
パワーデバイス設計課の中松です。
前回のブログでお話ししたパワーMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きです。
前回、アバランシェエネルギーが同じであっても、試験条件が異なればMOSFETのジャンクション温度Tjは異なるため、単純に比較できないことをご説明しました。では、前回と同じデバイスで、L負荷の値L=3 µH、アバランシェ電流IAS=50 Aの場合(ケース③)を考えてみましょう。
みなさん、こんにちは。第二技術部電源設計課の田川です。
今回が2回目の登場になります。前回は、“電源”という言葉をKeyにしてお話しさせていただきましたが、今回はスイッチング電源に関わる電気的評価についてお話ししたいと思います。
スイッチング電源の主な評価・試験項目と実施内容を以下の表に挙げています。
みなさん こんにちは!第一技術部 基板設計課の木戸です。
前回「BGAの基板設計(その1)」の続編としてBGAの基板設計例を紹介いたします。
BGAの基板設計にはPKG情報、基板の層数、基板構成、基板設計ルール(配線幅/間隔、ビアサイズ)、ランド形状が必要となり、今回は以下の前提で「基板層数は何層必要になるか?」のBGAの基板設計例を紹介します。(内側4x4のピンはGNDとし、外側周辺6列のBGAの基板設計の事例とします。)